[工学]第四章双极结型三极管及放大电路基础模电康第五版.pptVIP

第四章 双极结型三极管 及放大电路基础 4.1 BJT 4.1 BJT 3. 极限参数 （1）集电极最大允许电流ICM 当 iC过大时， 值将下降， 值下降到一定值时的iC即为ICM。当工作电流iC ICM时，BJT不一定会烧坏，但 值将过小，放大能力差。 （2）集电极最大允许耗散功率PCM 集电极电流通过集电结时所产生的功耗： PCM= ICVCB≈ICVCE 因发射结正偏，呈低阻，所以功耗主要集中在集电结上。在计算时往往用VCE取代VCB。PCM的大小与允许的最高结温、环境温度及管子的散热方式有关。 4.1 BJT （3）反向击穿电压 发射极开路时集电结的反向击穿电压。 集电极开路时发射结的反向击穿电压。 基极开路时集电极和发射极间的反向击穿电压。 V(BR)CER ：表示BE间接有电阻； V(BR)CES ：表示BE间是短路的。 几种反向击穿电压、反向电流（穿透电流）的关系： V(BR)CEO＜V(BR)CER＜V(BR)CES＜V(BR)CBO ICEO＞ICER＞ICES＞ICBO 集电极最大允许电流 ICM 集-射反向击穿电压 U(BR)CEO 集电极最大允许耗散功率 PCM 过压区 过流区 安全工作区 过损区 PCM=ICUCE UCE/V U(BR)CEO IC/mA ICM O 使用时不允许超 过这些极限参数. 极限参数 4.1 BJT 输出特性曲线上的过损耗区和击穿区 4.1 BJT 五、温度对BJT参数及特性的影响 1. 温度对BJT参数的影响 （1）温度对ICBO的影响 （3）温度对反向击穿电压V(BR)CBO 、V(BR)CEO的影响 （2）温度对 的影响 温度每升高10℃，ICBO约增加一倍。穿透电流ICBO也会随温度变化而变化。 β随温度上升而增大，α随温度变化而变化。 温度升高时，V(BR)CBO 和V(BR)CEO都会有所提高。 4.1 BJT 2. 温度对BJT特性曲线的影响 （1）对输入特性的影响 温度升高时，BJT共射极连接时的输入特性曲线将向左移动，说明在iB相同的条件下，vBE将减小。 （2）对输出特性的影响 温度升高时，BJT的ICBO、ICEO 、β将增大，结果导致BJT的输出特性曲线向上移动，且各条曲线间的距离加大。 iC vCE Q Q′ O 4.2 基本共射极放大电路 一、基本共射极放大电路的组成 + — + + — — BJT：核心元件，起放大作用。 VBB：通过Rb给发射结提供正偏电压，并产生基极直流电流Ib（偏流）。 VCC：通过Rc，并与VBB和Rb配合，给集电结提供反偏电压，使BJT工作于放大状态。 4.2 基本共射极放大电路 + — + + — — Rc：另一作用是将集电极电流的变化转换为电压的变化，再送到放大电路的输出端。 vs：待放大的时变输入信号。 输出信号从集电极-发射极间取出。 发射极是输入回路与输出回路的共同端（称为“地”，用“⊥”表示） 4.2 基本共射极放大电路 二、基本共射极放大电路的工作原理 + — + — 直流通路 1. 静态（直流工作状态） （输入信号 vi = 0） 静态工作点Q： IBQ、ICQ、VBEQ、VCEQ 设置合适的静态工作点是保证BJT始终工作在放大区，即将微弱的输入信号进行不失真的放大。 4.2 基本共射极放大电路 + — + — 直流通路 静态工作点可由放大电路的直流通路用近似计算法求得。 例4.2.1 如图，VBB=4V，VCC=12V，Rb=220kΩ，Rc=5.1kΩ，β=80，VBEQ=0.7V。试求该电路中的电流IBQ、ICQ、VCEQ，并说明BJT的工作状态。 4.2 基本共射极放大电路 + — + — 解： 由VBEQ=0.7V、VCEQ≈5.9V知，BJT工作在发射结正偏、集电结反偏的放大区。 4.2 基本共射极放大电路 2. 动态 （输入信号 vi ≠ 0） BJT各极电流和电压将在静态值的基础上随输入信号作相应的变化。 + — + — 交 流通路 + — 画交流通路的原则： ①对交流信号，内阻很小的直流电压源可视为短路；内阻很大的电流源或恒流源可视为开路。 ②对一定频率范围内的交流信号，容量较大的电容可视为短路。 4.2 基本共射极放大电路 只要在电路中设置合适的静态工作点，并在输入回路加上一个能量较小的信号，利用发射结正向电压对各极电流的控制作用，就能将直流电源提供的能量按输入信号的变化规律转换为所需要的形式供给负载。 因此，放大作用实