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实验报告 题目:ZnO晶体薄膜光敏特性测试 院系名称 ： 电子工程学院 专业班级 ： 学 号 ： 学生姓名 ： 张峰伟 绪论 1.1 半导体材料的应用 自然界的物质、材料按导电能力大小可分为导体、半导体、绝缘体三大类，半导体的导电率在10-8103 之间。半导体材料的电学性质对光、热、电、磁等外界因素的变化十分敏感，在半导体材料中参入少量杂质可以控制这类材料的电导率。利用半导体材料的各种物理性能如电导特性、光学特性、磁学特性、介电特性被用于现代信息中的信息获取、信息传输、信息处理、信息存储等方面，如各种光电转换半导体材料、各种传感材料已广泛用于信息的获取设备上；硅、砷化镓等半导体材料则是大规模集成电路的核心；用于信息传输的光纤主要采用石英材料；磁性材料可调谐激光器及掺铒光纤放大器的发明更为提高信息公路的容量和传输速度奠定了坚实基础。由于半导体陶瓷材料的电导率在外界条件如温度、光照、电场、气氛和湿度等影响下电导率会发生显著的变化，利用这些特性，可以制成多种敏感器件如热敏、光敏、压敏，湿敏器件等。本文在分析ZnO晶体结构的基础上，进一步研究常温下ZnO材料的导电性和紫外光照对其影响。并绘制光照强度与ZnO材料导电性的变化关系曲线。从材料的结构和外界条件入手，分析曲线的变化原因。 1.2 光电传感器 光电传感器一般由光源、光学通路和光电元件三部分组成。其基本原理是以光电效应为基础，把被测量的变化转换成光信号的变化，然后借助光机电元件进一步将光信号转换成电信号。光电效应是指用光照射某一物体，可以看作是一连串带有一定能量的光子轰击在物体上，此时光子能量就传递给电子，并且是一个光子的全部能量一次性的被一个电子所吸收，电子得到光子传递的能量后其状态就会发生变化，从而使受光照的物体产生相应的电效应。根据以上的定义，通常把光电效应分为三类：1在光线作用下能使电子逸出表面的现象称为外光电效应，如光电管，光电倍增管等；2在光 线作用下能使物体电阻率发生改变的现象称为内光电效应，如光敏电阻、光敏晶体管等；3在光线作用下，物体产生一定方向电动势的现象称为光生伏特效应，如光电池等。光电传感器是以光电效应为理论基础，已经有大量研究围绕传感器的敏感波长展开，敏感波长在可见光（0.38-0.76um）附近，其中包括红外线（0.761000um）和紫外线波长（0.0050.4um）。而紫外探测技术是继红外和激光探测技术之后发展起来的又一军民两用探测技术，并在近代得到了快速发展。根据紫外探测过程的机理，紫外探测器分为热探测器和光子探测器。这些器件因具有的可见光响应特点决定了必须要采用的昂贵的虑光装置，而且真空器件相对而言又具有体积大，工作电压高等缺点。但随着宽禁带半导体材料研究的发展，新型的半导体紫外探测器具有能在低电压电源下工作，体积小，探测波长范围完全在紫外光谱区，并且具有较高的量子效率极端的响应时间等特点，将越来越受到研究者们的关注。 根据半导体能带理论可知，半导体材料可分为直接带隙和间接带隙半导体，有E-k关系曲线可知，半导体导带最小能量与价带最大能量具有相同的k坐标的半导体成为直接带隙半导体；价带能量最大值和导带能量最小值的k坐标不同的半导体称为间接带隙半导体，在直接带隙半导体中，两个允带之间电子的跃迁不会对动量产生影响，适合用来制作光学器件；而间接带隙半导体的电子在价带和导带中跃迁时，会包含晶体的相互作用，使得光转换效率较低，不易制成光学器件。 1.3半导体的光吸收 半导体材料通常能强烈的吸收光能，具有数量级为100000/cm的吸收系数。材料吸收辐射能导致电子从低能级跃迁到较高的能级。 大量实验证明，价带电子跃迁是半导体研究中最重要的吸收过程。当一定波长的光照射半导体材料时，电子吸收足够的能量，从价带跃迁入导带。电子从低能带跃迁到高能带的吸收相当于原子中电子从能量较低的能级跃迁到能量较高的的能级的吸收。其区别在于：原子中的能级是不连续的，两能级间的能量差是定值，因而电子的跃迁只能吸收一定能量的光子，出现的是吸收线；而在晶体中，与原子能级相当的是一个由很多能级组成，实际上是连续的能带，因而光吸收也就表现为连续的吸收带。 1.4本征吸收 理想的半导体在绝对零度时，价带是完全被电子占满的，因此价带电子不可能被激发到更高的能级。唯一可能的是吸收足够能量的光子使电子激发，越过禁带跃迁到空的导带，而在价带留下一个空穴，形成空穴-电子对。下图是本征吸收的示意图。 显然，要发生本征吸收，光子能量必须等于或大于禁带宽度Eg，即hv=Eg 1.5 ZnO薄膜的光电性质 Zn是IIB族元素，电子外层排布为1s22s22p63s23p63d104s2，特殊的能带结构使锌的氧化物、硫化物、硒化物、碲化物在可