场效应晶体管的保存及使用.pdfVIP

场效应晶体管 92．什么是场效应晶体管?场效应晶体管与晶体管有何区别? 答：场效应晶体管(简称场效应管)是利用电场效应来控制半导体中电流的一种半导体器件。场效应晶体管是 一种电压控制器件。场效应晶体管分为两类，即结型场效应晶体管和绝缘栅型场效应晶体管(IGBT)。 场效应晶体管有三个电极，即栅极G、源极S和漏极D，分别与晶体管的基极B、发射极E和集电极C相对应， 但两种管的工作原理却有着本质的不同。 从控制作用看，晶体管是一种电流控制器件，它利用基极电流来控制集电极电流的变化。而场效应晶体管是 一种电压控制器件。它利用栅源电压来控制漏极电流的变化。晶体管的集电极电流的大小取决于基极电流的 大小，而场效应晶体管的漏极电流的大小取决于栅极电压的大小。场效应晶体管的输入电阻非常高，达几百 兆欧至上千兆欧，这是晶体管所无法比拟的优点。另外，有些场效应晶体管的源极S和漏极D可以互换，耗 尽型绝缘栅场效应晶体管工作时栅极电压可正可负。场效应晶体管比晶体管的灵活性大，常用于放大、阻抗 变换、振荡电路及自动保护电路中，特别适用于要求输出阻抗高、噪声低、功耗小的场合。 93．场效应晶体管有哪些种类?它们有哪些不同之处? 答：场效应晶体管有两大类，即结型场效应晶体管和绝缘栅型场效应晶体管。每种类型的场效应晶体管按导 电沟道又可分为N沟道和 P沟道，按工作方式又可分为增强型和耗尽型。 绝缘栅型场效应晶体管与结型场效应晶体管的不同之处在于它们的导电机构不同。绝缘栅型场效应晶体管是 利用感应电荷的多少来改变导电沟道的性质，而结 型场效应晶体管则是利用导电沟道之间的耗尽区的大小 来控制漏极电流的。绝缘栅型场效应晶体管可分为增强型场效应晶体管和耗尽型场效应晶体管，而结型场效 应晶体管均为耗尽型场效应晶体管。 94．各种场效应晶体管的符号、电压极性和转移特性是什么? 答：各种场效应晶体管的符号和特性比较见表1-3。 95．场效应晶体管的主要参数有哪些? 答：场效应晶体管的主要参数有： (1)夹断电压VP当VDS为某一固定数值，IDS等于某一微小电流时，在栅、源极之间所加的偏压VDS称为夹 断电压Vpo (2)饱和漏电流IDS在栅、源极短路的条件下即VGS=0时，漏、源极之间的电压VDSVP时的漏极电流称为饱 和漏电流IDSS。 (3)击穿电压V(BR)DSO表示漏、源极之间所能承受的最高电压，即漏极饱和电流开始上升进入击穿区时的VDS。 (4)直流输入电阻RGS在漏、源极短路的条件下，栅、源极之间加一定电压时的栅、源极之间的直流电阻就 是直流输入电阻RGS。 (5)低频跨导gm在VDS=常数时，漏极电流的微变量与引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导gm．即 gm是衡量场效应晶体管栅、源极电压对漏极电流控制能力大小的一个参数，也是衡量放大作用的 重要参数。 96．结型场效应晶体管的结构和工作原理是怎样的? 答：以N沟道结型场效应晶体管为例，如图1-25所示。 结型场效应晶体管是在N型硅半导体材料左右两侧制造两个P型区形成两个PN结，把两个P区相连后引出 一个电极称为栅极G。在N型硅的上下两端各引出一个电极，分别称为源极S和漏极D.两个PN结中间的N 型区域称为N型导电沟道。这就构成一个N沟道结型场效应晶体管。 以N沟道为例，当VGS=0时，在漏极D和源极S之间加上一定的电压VDS，则N型半导体中多数载流子电子 向漏极D移动，形成的漏极电流ID与电子 流方向相反，由D流向S。当VGS0时，即栅极G相对源极S加 负电压使 PN 结反偏。此时，PN 结变宽，导电沟道变窄，在 VDS 作用下 D、S 之间电 流 ID 减小。因此，正常 工作时要保持PN结处于反偏状态，在此基础上，改变VGS就可以控制漏极电流ID。 97．绝缘栅型场效应晶体管的结构和工作原理是怎样的? 答：以N沟道绝缘栅型场效应晶体管为例，如图1-26所示。 如图所示，它是以一块