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第九章 超导电性 1911 年荷兰物理学家昂内斯(H.R.Onnes)在研究水银在低温下的电阻时，发现当温 度降低至4.2K 以下后，水银的电阻突然消失，呈现零电阻状态。昂内斯便把这种低温下 物质具有零电阻的性能称为超导电性。1933 年迈斯纳(W. Meissner)和奥克森菲尔德(R. Ochsenfeld)发现，不仅是外加磁场不能进入超导体的内部，而且原来处在外磁场中的正 常态样品，当温度下降使它变成超导体时，也会把原来在体内的磁场完全排出去。到1986 年，人们已发现了常压下有28 种元素、近5000 种合金和化合物具有超导电性。常压下， Nb 的超导临界温度Tc=9.26K 是元素中最高的。合金和化合物中，临界温度最高的是 Nb Ge，T =23.2K 。此外，人们还发现了氧化物超导材料和有机超导材料。 3 c 1987 年2 月，美国的朱经武等宣布发现了Tc～93K的氧化物超导材料，同月21 日 和23 日，中国科学院物理所的赵忠贤、陈立泉等人和日本的S. Hikami等人也都独立地 发现Y-Ba-Cu-O化合物的Tc～90K 。中国学者率先公布了材料的化学成份。液氮温区超导 材料的出现激起了全世界范围的对高临界温度超导材料研究的热潮。 发现超导电性是二十世纪物理学特别是固体物理学的重要成就之一。在超导电性领 域的研究工作中，先后有九位科学家前后四次荣获诺贝尔物理学奖。 §9.1 超导电性的基本性质 物质由常态转变为超导态的温度称其为超导临界温度，用T 表示。超导临界温度以 c 绝对温度来度量。超导体与温度、磁场、电流密度的大小密切相关。这些条件的上限分 别称为临界温度(critical temperature, T ) 、临界磁场(critical magnetic field, H )和临界电流 c c 密度(critical electric current density, Jc) 。超导电性有两个最基本的特性：完全导电性和完 全抗磁性。 9.1.1 完全导电性 对于超导体来说，在低温下某一温度Tc 时，电阻会突然降为零，显示出完全导电性。 图9.1 表示汞在液氦温度附近电阻的变化行为。在4.2K下对铅环做的实验证明，超导铅 -25 -16 的电阻率小于3.6 ×10 Ω·cm，比室温下铜的电阻率的4.4 ×10 分之一还小。实验发 现，超导电性可以被外加磁场所破坏，对于温度为T(T＜Tc ＝的超导体，当外磁场超过某 一数值H (T) 的时候，超导电性就被破坏了，H (T)称为临界磁场。在临界温度T ，临界 c c c 磁场为零。Hc(T)随温度的变化一般可以近似地表示为抛物线关系： ⎡ T 2 ⎤ ( ) 1 − （9.1 ） H T H c co ⎢ 2 ⎥ ⎢ T ⎥ ⎣ c ⎦ 1 式中Hco是绝对零度时的临界磁场。 实验还表明，在不加磁场的情况下，超导体 中通过足够强的电流也会破坏超导电性，导致破 坏超导电性所需要的电流称作临界电流Ic(T) 。在 临界温度Tc ，临界电