1-3三极管.ppt

1.3 已知输入输出特性曲线如下： 在小信号（线性）条件下： H参数的物理意义及图解方法 2）共发组态的H参数模型 电路模型 3）两种参数模型的比较 基本概念 1. 三极管的工作状态 2. 三极管具有电流放大作用的条件 3. 三极管的电流分配关系→三极管（放大电路）的三种组态、发射效率γ、传输效率η、外电路电流平衡方程、直流电流传输方程、直流电流传输系数（α、β） 4. 三极管的伏安特性曲线→基区宽度调制效应 5. 三极管的主要参数→反向饱和电流 6. 三极管的电路模型→ EM方程、小信号模型、小信号的条件、混合π型模型、混合π型参数与工作点电流的关系、网络参数模型（ H参数） 1.4.5 三极管的EM方程和电路模型 埃伯尔斯－莫尔（EM）方程反映结电压对三极管各极电流的控制作用，可作为三极管的数学模型。 1. EM 方程的导出 发射结正偏等效模型 发射结用二极管模拟，其对集电极电流的影响用受控源表示。 共基极正向电流传输系数 发射结正偏等效模型 集电结用二极管模拟， 其对发射极电流的影响用受控源表示。 集电结正偏等效模型 共基极反向电流传输系数 2. 电路模型:共基组态的EM电路模型 正向工作区共射电路的指数模型 （1）正向工作区 正向工作区共射电路的电路模型 受控电流源 集射极间饱和压降 极间饱和压降 简化模型 （2）饱和区 v BE0、v BC0 vBC 增大，iR 增大，iC 、iE 减小； 基区载流子的复合作用加强， iB 增大。 放大状态下的电流传输方程已不成立。 饱和状态时，两结正向电阻都很小，管子呈低阻特性。 三极管已无放大状态时的受控作用 （4）反向工作区 v BE0、v BC0 反向电流传输系数很小，不用。 电极之间可视为开路 简化模型 （3）截止区 1.4.6 三极管的小信号模型 瞬时值: vi 较小时，其对应变化范围内的输入输出特性可视为直线，非线性器件三极管可等效为线性器件来进行分析。 小信号的条件： VBEQ对应的静态电流: 瞬时值: 三极管的跨导： 建立小信号模型的依据 (1) 小信号（微变）——（图解）基本满足叠加原理！ 输入特性：工作点在Q附近移动范围小，切线代替曲线 (2) 双口有源网络的参数模型 已知端口瞬时值之间的关系（即输入输出特性曲线）如下： 可得 或 为简化表达，引入四个g参数 共发射极三极管混合π型模型 线性g参数模型 用三极管参数表示g参数，取 考虑基区 体电阻 低频混合π型电路模型 低频混合π型简化模型 高频混合π型电路模型 关于混合π型模型的说明 点是基区内的等效点，或者说是基区内的等效基极。 混合π参数在很宽的频率范围内可以看作与频率无关的常数，因此混合π型模型适用的频率范围很宽。 发射结正偏时Q点的动态电阻 1）三极管的跨导gm 室温时， 2. 混合π型参数与工作点电流的关系 2）发射结的结层电阻 其大小反映了输出特性曲线的倾斜程度，又称为基区宽度调制参数。 3）集射电阻 一般在几千欧以上 其值在100KΩ～10MΩ之间，反映了输出电压对输入电流的影响，也称为基区宽度调制参数。 4）集电结的结层电阻 5）基区体电阻 基区体电阻和接触电阻，低频小功率管约为200Ω～300Ω； ICQ　增大，体电阻将减小， VCEQ增大，体电阻将增大。 混合π型模型 1）三极管的跨导gm :室温时， 2）发射结的结层电阻 3）集射电阻 4）集电结的结层电阻 5）基区体电阻 混合π型参数与工作点电流的关系 3. 三极管的网络参数模型 放大器采用不同组态，其端口参量必然不同，得到的参数也会不同. 1）H参数的引出 1.4.3 三极管的伏安特性曲线 1. 共基电路特性曲线 (1)输入特性曲线 基区宽度调制效应：输出端电压的增加使输入特性曲线左移 输出端电压 集电结变宽并向基区扩展 基区的 0W1 0W2 宽度变窄： 当 不变 非平衡少子浓度曲线在发射结边界处的位置未变 浓度曲线斜率变大 ①线→②线 特性曲线左移 同样的 →电流却增大了 特性曲 线几乎重合 （2）输出特性曲线 特性曲线上翘？ 基区宽度调制效应：特性曲线上翘 输入特性： 输出特性： 2. 共发射极电路特性曲线 （1） 输入特性 1) v CE = 0 时的输入特性曲线 2) v CE 0 时的输入特性曲线 特性右移:基区宽度效应 （2）输出特性曲线 i B ≤ 0 的区域。 两个结都处于反向偏置。 i B= 0 时，i C = ICEO。 硅管约等于 1 ?A，锗管约为几十 ~ 几百微安。 截止区： 放大区： 发