薄膜材料研究会.ppt

* 薄膜材料デバイス研究会 オープニングサマリ 薄膜材料デバイス研究会　第一回研究集会 2004.11.12 奈良先端科学技術大学院大学 浦岡行治 投稿数　48件 TFT 　　　　　　38件 LSI　　　　　　　　　　2件 酸化物半導体　　　6件 量子デバイス　　　　2件 TFT関連の内訳 結晶化　　　　　　　　　14件 絶縁膜　　　　　　　　　　7件 活性化　　　　　　　　　　2件 評価?シミュレーション　5件 信頼性　　　　　　　　　　 5件 非結晶Si　(CVD) 　　　 1件 SOI　　　　　　　　　　　　 2件 有機TFT　　　　　　　　　2件 投稿内容の分析 投稿機関の分析 　大学40件　　企業　8件 　 大阪大学 九州大学 ケンブリッジ大学 島根大学 千葉大学 電気通信大学 東京農工大 東京工芸大学 東京工業大学 東洋大学 奈良先端大学 兵庫県立大学 広島大学 北陸先端大学 龍谷大学 東京大学 東京高専 ALTEDEC 科技団 住友金属鉱山 大日本印刷 日立製作所 日立ディスプレイズ UNAXIS アルバック 日新電機 日新イオン機器 SELETE 松下電器産業 日立国際電気 17大学 13企業 青字は筆頭、黒字は連名 横井利彰氏　（武蔵工大）　　　　　　快適な情報環境とディスプレイ“ 寒川誠二氏　（東北大）　　　　　　　 プラズマエッチングの最前線とナノ加工“ 川瀬健夫氏　（セイコーエプソン）　　“インクジェット有機トランジスタの 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　ディスプレイ応用 招待講演 TFTの結晶化（1） 熱プラズマジェットを用いたa‐Si 膜の結晶化とTFT 応用（PS1) （広島大） 熱プラズマジェット照射によるSi 薄膜結晶化過程の実時間観測（PS2) （広島大） 短時間ジュール加熱法によるシリコン膜の結晶化（PS3) （東京農工大） 固体YAGグリーンレーザにより形成された結晶化Siの結晶成長（PS4) （兵庫県立大） 直線偏光Nd:YAG パルスレーザー溶融結晶化Si の広角入射による形成制御（PS5) （北陸先端大） PM-ELA法で作製したSi結晶上の微細TFT特性（PS6) （ＡＬＴＥＤＥＣ） SELAX 法により横方向成長したpoly-Si 膜の伝導特性（PS） （日立） TFTの結晶化（２） ナノメータ薄膜シリコンのレーザ結晶化（PS8) （東京農工大） Si 上Ge 薄膜のエキシマレーザー誘起結晶成長（PS9) （広島大） 金属誘起固相成長による多結晶Si/ガラスの低温形成と電界印加効果（PS10) （九州大） 大粒径多結晶Si 薄膜作製のためのGe 微結晶核を利用した基板表面制御（PS11) （阪大） ラマン分光で観察したポリシリコン薄膜に対する高圧水蒸気処理効果（PS14) （島根大） 分子動力学シミュレーションによる石英基板上融液シリコンの結晶成長（PS15) （九州大） CVD法によるＳｉ薄膜 Low impurity thin films for high performance TFTs deposited in a PlasmaBox reactor（PS21) （ＵＮＡＸＩＳ） Characteristics of Bottom Gate Thin Film Transistors with Silicon rich poly-Si1-xGex and poly-Si fabricated by Reactive Thermal Chemical Vapor Deposition（PS12) （東工大） Cat-CVD 法によるVth 変動の少ない安定なa-Si TFT の作製（PS13) （北陸先端大） TFTの絶縁膜 Low Temperature Growth of Silicon Oxide Film by Using Ozone-Enriched Gas（PS19）（北陸先端大） μ波プラズマ酸化／PECVD 積層膜をゲート絶縁膜に用いたSOI-TFT の特性（PS20)（ＡＬＴＥＤＥＣ） 高圧水蒸気熱処理によるTEOS-SiO2絶縁膜の改質（PS22) （東京農工大） スパッタ法および高圧水蒸気熱処理によるポリシリコンＴＦＴの低温作製とその電気特性（PS24) （大日本印刷） 高圧水蒸気熱処理による絶縁膜とその界面の改質（PS25) （東京農工大） キャリヤライフタイム測定によるSiO2/Si 界面特性の評価（PS26) （東京農工大） TFTの活性化 イオンドーピングした不純物の低温活性化（PS16) （東京農工大） レーザ加熱誘起不純物拡散を用いたSi 及びSiO2/Si界面の特