硅的化学清洗工艺探讨.pptVIP

硅的清洗工艺探讨 清洗的一般原则： 有机沾污 溶解氧化层 去除颗粒、金属沾污 1、 去除硅片表面的污染物。溶液应具有高氧化能力，可将金属氧化后溶解于清洗液中，同时可将有机物氧化为CO2和H2O 清洗硅片的清洗溶液必须具备以下两种功能： 2、防止被除去的污染物再向硅片表面吸附 常用清洗液: DHF(稀释氢氟酸） ：HF(H2O2):H2O APM(SC-1)(一号液) ：NH4OH:H2O2:H2O HPM(SC-2)(二号液) :HCl:H2O2：H2O SPM（三号液） ：H2SO4：H2O2：H2O) 传统的RCA清洗法: 1、SPM（三号液）（H2SO4∶H2O2∶H2O） 在120～150℃清洗 10min左右，SPM具有很高的氧化能力，可将金属氧化后溶于清洗液中，并能把有机物氧化生成CO2和H2O. 用处： SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有机沾污和部分金属 缺点：当有机物沾污特别严重时会使有机物碳化而难以去除。 改进：Ohnishi提出SPFM(H2SO4/H2O2/HF)溶液，可使表面的硫化物转化为氟化物而有效地冲洗掉。 配比：H2SO4(98%):H2O2(30%)=4:1 2、 DHF（HF(H2O2)∶H2O）稀释氢氟酸： 在20～25℃清洗30s 腐蚀表面氧化层，去除金属沾污，DHF清洗可去除表面氧化层.化学反应式: 4HF+SiO2=SiF4+2H2O Si+2H2O2=SiO2+2H2O 使其上附着的金属连同氧化层一起落入清洗液中，可以很容易地去除硅片表面的Al，Fe，Zn，Ni等金属，但不能充分地去除Cu。 缺点：在酸性溶液中硅表面呈负电位，颗粒表面为正电位，由于两者之间的吸引力粒子容易附着在晶片表面。 配比：HF：H2O2=1：50 3、APM(SC-1)（一号液）（NH4OH∶H2O2∶H2O） 在65～80℃清洗约10min 主要去除粒子、部分有机物及部分金属。 由于硅片表面的自然氧化层与硅片表面的Si被NH4OH腐蚀，因此附着在硅片表面的颗粒便落入清洗液中，从而达到去除粒子的目的。 Si+2NH4OH+H2O=(NH4)2SiO3+2H2 Si+2H2O2=SiO2+2H2O SiO2+2NH4OH=(NH4)2SiO3+H2O 配比： (1∶1∶5)~(1∶2∶7)的NH4OH (27 %)、H2O2(30%)和H2O组成的热溶液。稀释化学试剂中把水所占的比例由1∶5增至1∶50，配合超声清洗，可在更短时间内达到相当或更好的清洗效果。 缺点：此溶液会增加硅片表面的粗糙度。 改进：SC-1清洗后再用很稀的酸(HCl∶H2O为1∶104)处理，在去除金属杂质和颗粒上可收到良好的效果，也可以用稀释的HF溶液短时间浸渍，以去除在SC-1形成的水合氧化物膜。最后，常常用SC-1原始溶液浓度1/10的稀释溶液清洗，以避免表面粗糙，降低产品成本，以及减少对环境的影响。 注意事项：晶片表面Ra与清洗液的NH4OH组成比有关，组成比例越大，其Ra变大。Ra为0.2nm的晶片在NH4OH：H202：H2O=1:1:5的SC-1清洗后Ra可增大至0.5nm。为控制晶片表面Ra有必要降低NH4OH的组成比例如0.5:1:5。 原理： ①自然氧化膜约0.6nm厚，其与NH4OH、H2O2浓度及清洗液温度无关。②SiO2的腐蚀速度随NH4OH的浓度升高而加快，其与H2O2的浓度无关。③Si的腐蚀速度，随NH4OH的浓度升高而加快当到达某一浓度后为一定值，H2O2浓度越高这一值越小。④NH4OH促进腐蚀，H2O2阻碍腐蚀。⑤若H2O2的浓度一定，NH4OH浓度越低，颗粒去除率也越低，如果同时降低H2O2浓度可抑制颗粒的去除率的下降。⑥随着清洗液温度升高，颗粒去除率也提高,在一定温度下可达最大值。⑦颗粒去除率与硅片表面腐蚀量有关，为确保颗粒的去除要有一定量以上的腐蚀。 HPM(SC-2)（二号液）（HCl∶H2O2∶H2O） 在65～85℃清洗约10min用于去除硅片表面的钠、铁、镁等金属沾污。 在室温下HPM就能除去Fe和Zn。H2O2会使硅片表面氧化，但是HCl不会腐蚀硅片表面，所以不会使硅片表面的微粗糙度发生变化。(1∶1∶6)~ (2∶1∶8)的H2O2(30%)、HCl(37%)和水组成的热混合溶液。对含有可见残渣的严重沾污的晶片，可用热H2SO4-H2O(2∶1)混合物进行预清洗。 SC-1液的改进:a. 在APM洗后的DIW漂洗应在低温下进行。b.可使用兆声波清洗去除超微粒子，同时可降低清洗液温度，减少金属附着。c.SC-1液中添加表面活性剂、可使