ch9-10单电子隧道和Josephson效应.ppt

10.2 Josephson临界电流对温度和磁场的依赖关系 一. Josephson临界电流Ic对温度的依赖关系 Ic：对流过结区的Josephson电流密度做面积分得到。 Ambegaokar 和 Baratoff 根据超导微观理论推导出 Josephson临界电流Ic对温度得依赖关系为 式中： 分别代表Josephson隧道结左右两侧超导体的能隙 P表示去积分主值，f（E）为费米函数 * 讨论T=0,这时若E0,则f(E)=0,上式变为： 上式中K(x)为第一类完全椭圆积分。假如 （两者相差 小于2－3倍），利用 K(x)的渐近表达式： 上式变为： 对称结情况， 上式在化为： * 利用上式可从S-I-S隧道结单粒子隧道I－V特性曲线上测 Josephson临界电流Ic S-I-S结的总电流： 单粒子隧道电流 * 单 时，对称结情况， ，可证明： 如果 (普遍情况) P334,一个复杂的表达式。(10-36) * 二 Josephson 穿透深度 在Josephson过程组中有两个长度量纲的物理量d 和 表示磁场在势垒附近的穿透深度 一般 或 ，故d主要取决于 或 定义： 不仅与d有关，也与Jc有关。 * 考虑稳态情况，即 ，第四个Josephson方程变为： 取如图坐标系， 如 很小，则 ，则： 解： 时， 即距结的边缘 处， 衰减到 值的 * 给出了 ，也即 空间变化不均匀性的一种量度 标准。 当结区尺寸 时，结中电流密度分布可认为是均匀的， 称之为“小结”。 当结区尺寸 时，结中电流密度集中在结的边缘，分布 不均匀的，称之为“大结”。 * 如有外磁场 ， 方向为z方向，则 为x方向。 由Josephson方程(3) 得： 当 （边界条件） 则由 解得： 又表示存在外磁场时，该外磁场 沿着结势垒平面向内部的穿透深度。 总是大于London穿透深度 。 * 三. Josephson电流的宏观量子衍射现象 “小结”在外磁场中的行为： ，结平面在xy平面 位相差 对外加磁场的依赖关系 由 磁通量子 * 推得： 当 ，即 时，I(H)达到最大值Imax(H) * 形式上与物理光学中的夫琅和费衍射一样 四. 大结的 I(H)-H关系(不要求) * 第9章 单电子隧道效应 1960年 Giaever 发现超导结单电子隧道效应 利用它测量超导体的能隙和超导态电子能谱 以及做成各种电子器件（如声子探测器等） 单电子隧道效应： 只考虑单电子的隧穿，不考虑超导电子 对的隧道效应 超导隧道效应发现者约瑟夫逊(B. D. Josephson) 、隧道技术开创者江崎玲於奈（Leo Esaki） 、和半导体隧道和超导隧道间的桥梁架设者 贾埃弗（I. Giaever)三人获得1973年诺贝尔物理学奖。 * 9.1 量子力学隧道效应 一、隧道穿透几率 粒子能量E 势垒高度V0 透射几率 ： E V0 0 a x * 当 则 则： T 对 a，（V0－E）和m都很敏感 * 隧道结： 隧道结 正常电阻 或（ ）为： * 隧穿电流 金属能带理论解释： 同样 其中 TAB：穿透系数，一般可认TAB＝TBA * 由A到B的净电流为： 可认为： 则 又因为 具有 函数的性质: * 得到： 所以 系数D与 TAB，样品尺寸有关 * 9.2 超导体和正常金属间的隧道效应 －.正常－超导转变引起的电子态密度变化 N S时，EF能级附近的电子能态分布发生重大变化。 超导电子态密度： （S－I－N隧道） 若能隙参量 与能量无关（BCS近似），上式变为 N（0）：费米能级正常态电子态密度 * 超导体能级的半导体模型表示法 * 近似： 受激准粒子像正常电子，遵从Pauli不相容原理和费米－狄拉克分布； 三 S－I－N隧道的I－V特性 隧道过程（前后）遵从能量守恒原理和泡利原理 T＝0K 时 正反偏置(A-, B+) (反向偏置 一样) * I-V 特性: eV ? ? * T0 ( T