第11章：低维材料的结构.pptVIP

(A) 椅形单壁碳纳米管，(B) Z 字形单壁碳纳米管， (C) 手性单壁碳纳米管，(D) 螺旋状碳纳米管，? (E) 多壁碳纳米管截面图 碳 纳 米 管 的 三 维 图 ZnO 纳米线 ZnO 纳米棒 纳米带 螺旋纳米带 纳米螺旋阵列 纳米环 纳米弓 纳米锯 (3.1)、岛状阶段 稳定核不断吸附原子长大，逐渐由球帽形长成圆形或多面体小岛，此阶段主要是平行于基体表面的方向的长大，而垂直方向长大很少。可以用热力学宏观物理量表面能来判别，也可用微观物理量结合能来判别。 ?2 基体表面自由能；?1 核与基体界面自由能； ?0 核的表面自由能；Ead 吸附原子在基体表面上的吸附能；Zc 核表面上悬挂健的数目；Eb 吸附原子间的结合能。 (3)、薄膜形成的宏观过程与生长:成核后，从稳定核成长成为宏观膜的过程分为岛状、联并、沟道和连续膜四个阶段。 成核 核生长 聚结 聚结 渠沟 孔洞 连续膜 岛状薄膜的形成过程 形核与长大 (3.2)、联并阶段 岛进一步长大，岛与岛间距不断减小，最后出现岛间的联通，小岛并联形成大岛。 形核与长大 * * 本章要点： 1、薄膜的形成过程 2、薄膜的结构和缺陷 本章要点 第六章：低维材料的结构 什么是低维材料? 低维材料包括二维薄膜材料、一维纳米线（量子线QW）、零维量子点（QD） 由於这些材料晶体结构的特异性，故而造成许多低维度材料展现非常奇特的物理现象。 例如，这些材料中的电子被限制在一维的线性链或二维的平面上做传输， 故他们的导电性会在某一(或二)晶格方向特别好，而在其他方向导电性明显较差。 在 GaAs 基材上以自組成法生长 InAs 量子点 STM 影像 CdSe 量子点的形貌和发光相 薄膜的形成过程 各种不同纳米氧化锌结构 薄膜的形成过程 氧化锌纳米（梳）线的发光和波导行为 纳米梳 纳米线的发光 纳米线发光呈现两头发光， 可以引出， 楞发光强于面， 为波导行为 薄膜的形成过程 硫化镉纳米线 薄膜的形成过程 Fe2O3 nanocrystal neighboring order 薄膜的形成过程 Fe2O3 纳米晶制备 薄膜的形成过程 GaAs 基材蚀刻窄圆柱式量子点之 SEM 影像 水平线条约 0.5 微米 薄膜的形成过程 InP 水稳定量子点的稳定性 薄膜的形成过程 碳 纳 米 管 的 多 种 结 构 薄膜的形成过程 大 面 积 定 向 纳 米 碳 管 列 阵 薄膜的形成过程 薄膜的形成过程 薄膜的形成过程 薄膜的形成过程 薄膜的形成过程 薄膜的形成过程 薄膜的形成过程 薄膜的形成过程 薄膜的形成过程 薄膜的形成过程 薄膜的形成过程 吸附过程能量曲线 1、薄膜的形成过程 薄膜形成过程分为：（1）凝结过程、 （2）岛形成与 （3）结合生长过程。 (1)、凝结过程 凝结过程是气相粒子 入射到基体表面后， 经气相到吸附相， 再到凝结相的相变过程。 薄膜的形成过程 气相原子入射到基体表面，有的被反射有的产生吸附（动能大于吸附能 ED 的产生化学吸附）； 吸附时的气相原子与基体交换部分能量后变成吸附相，剩余着一定的能量，能在基体表面扩散（能量大于解吸附能Ed 的，能够挣脱表面的吸附，蒸发成气态)。 扩散的原子间相互碰撞，形成原子对，产生凝结相。 描述凝结过程的几个系数： 凝结系数：ac = 凝结的原子数 / 入射到表面的总原子数 粘附系数：as = 再凝结的原子数 / 入射到表面的总原子数 热适应系数：a 描述能量交换的程度， 薄膜的形成过程 粘附系数： 凝结系数： 热适应系数： J ——表示入射到表面的总的气相原子数； Ti、Tτ、Ts——分别表示入射气相原子、再蒸发原子和基体的温度； a=0 ——表示完全不适应，气相原子完全反射； a=1——表示完全适应，入射原子完全吸附。 薄膜的形成过程 (2)、形核与长大 第一步：凝结的原子对在表面继续扩散迁移，相互凝聚，变成原子团，原子团长成晶核，晶核再与其它原子结合