无锡职院半导体材料期末复习.docVIP

1.半导体的主要特征有那些？ 电阻率大体在 10-3Ω·cm ~10 -9 的范围 电阻率的温度系数是负的 通常具有很高的热电势 具有整流效应 对光具有敏感性，能产生光伏效应或光电效应 2．在硅的金刚石结构中，一个硅原子和周围四个硅原子形成4个共价键，四个共价键并有相同的夹角为 A：30° B：90° C：109°28′ D：150° 3．以下物质结构示意图中，描述的是单晶体结构是图 图A 图B 图C 6．Si在常温下（300K）的禁带宽度为 A：0.0112eV B：0.0112V C：1.12V D：1.12eV 7.由工业硅合成的SiHCl3 (TCS)中含有SiCl4和多种杂质氯化物，必须将他们除去。提纯的方法有络合物形成法，固体吸附法，部分水解法和经常使用的精馏法。精馏提纯是利用混合液中各组分的沸点不同（挥发性的差异）来达到分离各组分的目的。 比较三氯氢硅（SiHCl3）氢还原法和硅烷（SiH4）法制备高纯硅的优缺点? 三氯硅烷法（SiHCl3) 利用了制碱工业中的副产物氯气和氢气，成本低，效率高 三氯硅烷遇水会放出腐蚀性的氯化氢气体，腐蚀设备，造成Fe、Ni等重金属污染三氯硅烷 硅烷