半导体器件的特性教学幻灯片讲义.pptVIP

电 子 学 基 础;第一章 半导体器件的特性 ;§1.1 半导体的导电特性;一、本征半导体的导电特性;; 纯净的、不含其他杂质的半导体称为本 征半导体。对于本征半导体来说，由于晶体 中共价键的结合力较强，在热力学温度零度 (T = 0K，相当于－273℃)时，价电子的能量 不足以挣脱共价键的束缚，此时，晶体中没 有自由电子。所以，在热力学温度零度时， 本征半导体(电阻率约1014Ω·cm) 不能导电， 如同绝缘体一样。 ; 当温度升高，例如在室温条件下，将有少数 价电子获得足够的能量，克服共价键的束缚而成 为自由电子。此时，本征半导体具有一定的导电 能力，但由于自由电子的数量很少，因此它的导 电能力比较微弱。当部 分价电子挣脱共价键的 束缚成为自由电子的同 时，在原来的共价键中 留下一个空位，称为空 穴。空穴是半导体区别 于导体的重要特征。; 由于存在空穴这样的空位，附近共价键中的价 电子就比较容易填补进来，而在附近的共价键中留 下一个新的空位，这个空位又被相邻原子的价电子 填补。从效果上看，这种 共有电子的填补运动，相 当于带正电的空穴在运动 一样。为了与自由电子的 运动区分,称为空穴运动。; 将物质内部运载电荷的粒子称为载流子。半导 体中存在两种载流子：带负电的自由电子和带正电 的空穴。物质的导电能力取决于载流子的数目和运 动速度。在本征半导体中，自由电子和空穴成对出 现，成为电子—空穴对，因此，两种载流子的浓度 是相同的。用 n 和 p 表示自由电子和空穴的浓度， 用 ni 和 pi 表示本征半导体中自由电子和空穴的浓 度，则有ni = pi。 ; 由于物质的热运动，半导体中的电子—空穴对 不断地产生，同时，当电子与空穴相遇时又因复合 而使电子—空穴对消失。在一定温度下，上述产生 和复合两种运动达到了动态平衡，使电子—空穴对 的浓度一定。本征半导体中载流子的浓度，除与半 导体材料本身的性质有关以外，还与温度密切相关, 且随温度的升高，基本上按指数规律增加。故本征 载流子对温度十分敏感。例如硅材料每升高8℃, 本 征载流子浓度增加一倍；对于锗材料每升???12℃， 本征载流子浓度增加一倍。由此可见，温度是影响 半导体导电性能的一个重要因素。 ;2、P型半导体 ; 因此，在这种杂质半导体中，空穴的浓 度将比自由电子的浓度高的多，即 p n。 因此这类半导体主要依靠空穴导电，故称为 空穴型半导体或P型半导体 (由于电子带正 电，故用 Positive 表示)，这种3价杂质原子 能够产生多余的空穴，起着接受电子的作 用，故称为受主原子。在 P型半导体中多子 是空穴，少子是电子。;* 在杂质半导体中，多子的浓度主要取 决于掺入的杂质浓度，且基本上等于杂质 的浓度；少子的浓度虽然很低，但受温度 影响显著；多子的浓度基本不受温度影响。;§1.2 PN结;一、 PN结的形成：; 由于空间电荷区内载流子因扩散和复合而消耗掉 了，因此空间电荷区又称耗尽层。空间电荷区的左侧 (P区) 带负电，右侧 (N区)带正电，因此，在空间电荷 区产生由N区指向P区的电场，称为内电场。内电场对 应的电位差VD称为电位壁垒。内电场的作用是阻止多 子的扩散，因此又称空间电荷区 为阻挡层。而这个内电场却有利 于少子的运动，即有利于P区中的 电子向N区运动，N区中的空穴向 P区运动。通常将少子在内电场作 用下的定向运动称为漂移运动。; 由此可知，PN结中进行着两种载流子的运动： 多子的扩散运动和少子的漂移运动。扩散运动产生 的电流称为扩散电流，漂移运动产生的电流称为漂 移电流。随着扩散运动的进行，PN结的宽度将逐渐 增大；而随着漂移运动的进行，空间电荷区的宽度 将逐渐减小。达到平衡时，无论电子和空穴，它们 各自产生的扩散电流和漂流电流都达到相等，则PN 结中总的电流等于零，空间电荷区的宽度也达到稳 定。一般PN结很薄(约几微米～几十微米)。电位VD 的大小，硅材料约为(0.6 ~ 0.8)V，锗材料约为(0.2 ~ 0.3)V。 ; 如果PN结两端加上不同极性的 直流电压，就可以打破上述的动态 平衡。下面将看到其导电性能有很 大差异。 ;1、 加正向电压，PN结导通： ;2、加反向电压，PN结截止： ; 由此可见，PN结正向偏置时， 导通；反向偏置时，截止。这一 特性，称为PN结的单向导电性， 它是PN结最重要的电特性。 ;§1.3 二极管;一、二极管的结构; 二极管的种类较多，按其结构可分为点接触型、面接触型、和平面型等。 点接触型二极管结电容小，工作频率高，但不能承受较高的反向电