CeO2基固体电解质材料的掺杂强化.pdfVIP

维普资讯 天津城市建设学院学报 第8卷 第 3期 2002年9月 JournalofTianjinInstituteofUrbanConstruction Vo1．8 No．3 Sep．2002 CeO2基 固体 电解质材料 的掺杂强化 梁广 川．梁秀红，林舜旺 (河北 工业 大学 材 料学 院 ．天津 300130) 摘 要 ：强度 低 是 CeO?基 电解质 材 料 的一个 主要 缺 点 ．实验 发现 ．加入 AIz()s可 以显 著增加 CeO：基材料 的强度 ，原 因是掺杂 的 Al()。在 CeO：中产生压缩应力 ．阻碍裂纹 的进 一步扩 展 ，另外 ，Al。()。分布在 晶界处 ．将会导致裂纹偏转 ．最大弯 曲强度对应 的Al。()。添加剂量摩 尔分数 为 3 ．加 入 Al() 还 可 以促进 材 料 烧 结 ，使 烧 结温度 降低 到 1500℃ 以下 ，但 会使 CeO。基 电解质 的 电导率下 降 ． 关 键 词 ：CeO ；固体 电解质 ；掺杂 ；AI2O。；强度 中图分类号 ：O614．332 文 献标 识码 ：A 文 章编 号 ：1006—6853(2002)03—015604 CeO?基材料的强度较低 ，据测试 ，其弯 曲强度仅 的下 降是 由于形 成微裂纹导 致 晶界密度增 加 ．对 为 6O～70MPa，在使用 中极 易断裂 ．曾有人研究过在 AlO。的质量分数为20 的8YSZ—A1。O。组 分 ，虽然 YSZ材料 中加入 AlO。，以提 高 固体 电解质强度 的方 1000℃ 时 电导率 降为 0．1S／cm，但弯 曲强度可 比 法 ．在实 际的 YSZ多晶陶瓷 中 ，晶界 阻抗 占总阻抗 的 8YSZ提高近一倍 ，且具有 良好的抗热震性 ． 很大部分 ．有报道认为，加入一定量 的AlO。可 以降低 目前 ，还没有加入 Al：o。对CeO。基电解质性能影 晶界 电阻 ，其 原 因是 Al。O。消 除 了 晶界 处 的 SiO。、 响方面 的报道 ．笔者将系统地研 究 Al：O。的加入对 Na：O等杂质 。形成 了高 电导率 的晶间相 ．Mori等人 (CeO ) (SmO j) 材料 强度等方面的影响 ． 对 8YSZ—AlO。组 分进 行 系统 的研 究 时 ，发现 在 Al!O。的质量分数小于 l％ 时 ，电导率 随 AlO。含量 的 1 实验材料制备与测试 增加而增加 ；而 当AlO。的质量分数大于 195／时 ，电导 率 随 AlO。含量 的增加而单调减小 ，他们认为 电导率 本实验试 样标记及烧结温度 如表 1所示 ． 表 l 掺杂 Al：o 的 CeO：基 电解质材料配方 组 分 烧结温度 ／℃ 1： (CeO2)。8(SmOlj)。2 ． 1500，1550，158O，1600 0一： (CeO!)ns(SmOl5)o?外加摩 尔分 数为 1 的 Al?o3 1500，1550，1600 3： (CeO2)。8(SmOl5) 外加摩 尔分 数为 3 的 Al2O3 1500，1550，1600 4￡ (CeO：)n8(SmOlj)