藉由氧化层退火来改善AlGaInP雷射二极体的电特性Improvingthe.PDFVIP

大葉學報 第十二卷 第一期 民國九十二年 57 Journal of Da-Yeh University, Vol. 12, No. 1, pp. 57-60 (2003) 藉由氧化層退火來改善AlGaInP 雷射二極體的電特性 黃俊達 林朝陽 大葉大學電機工程學系 彰化縣大村鄉山腳路112 號 摘 要 本篇論文主要是利用爐管將二氧化矽退火，使得二氧化矽的緻密性更高，來改善AlGaInP 雷射二極體特性並探討氧化層退火溫度對元件的影響。本實驗是在爐管中通入氮氣退火二氧化 矽，並改變退火溫度在300℃~450℃ 之間以探討最佳的退火條件。本實驗得知隨著氧化層退火 溫度的上升，起振電流跟著降低，由未經退火的 32.82mA 降至450℃ 退火的 24.83mA ，而斜 率效率也由未經退火的0.57W/A 上升到300℃ 退火的0.8W/A ；所以可見藉由氧化層退火可有 效的降低起振電流與增加斜率效率。除此之外，我們並改變工作溫度來探討AlGaInP 雷射二極 體的溫度穩定性，得到本元件可在90℃ 正常操作且代表溫度穩定性的特性溫度T0 從未經退火 的110.9K 上升到450℃ 退火的 116.6K ，可知氧化層退火溫度的上升所得到的元件溫度穩定度 較高。而就目前所知本論文是首先利用二氧化矽退火來改善AlGaInP 雷射二極體的電特性。 關鍵詞：AlGaInP 雷射二極體，起振電流，斜率效率，特性溫度 Improving the Electrical Characteristics of AlGaInP Laser Diode by Oxide Annealing JUN-DAR HWANG and CHAO-YANG LIN Department of Electrical Engineering, Da-Yeh University 112 Shan-Jiau Rd., Da-Tsuen, Changhua, Taiwan ABSTRACT In this thesis, the silicon dioxide is annealed by furnace so that the density of silicon dioxide is raised and improves the performance of the AlGaInP laser diode. In addition, we also investigate the dependence of annealing temperature on devices. In this study, nitrogen gas is introduced to anneal silicon dioxide and the annealing temperature is changed from 300℃ to 450℃ to find the optimum annealing condition. From our study, the threshold current Ith is redu