过渡金属掺杂ZnO的电子结构和光学性质3.PDFVIP

第 56 卷 第 6 期 2007 年 6 月 物 　理 　学 　报 Vol . 56 ,No . 6 ,June ,2007 ( ) 10003290200756 06 344006 ACTA PHYSICA SINICA 2007 Chin . Phys. Soc . 过渡金属掺杂 ZnO 的电子结构和光学性质 ) ) ) ) ) ) ) ) ) 沈益斌1 　周 　勋2 　徐 　明1 3 　丁迎春1 　段满益1 　令狐荣锋2 　祝文军1 4 1) ( 四川师范大学物理与电子工程学院 固体物理研究所低维结构物理实验室 ,成都 　610068) 2) (贵州师范大学物理与电子工程系 ,贵阳　550001) 3) (重庆邮电学院光电工程学院 ,重庆 　400065) 4) ( 中国工程物理研究院流体物理研究所冲击波物理与爆轰物理重点实验室 ,绵阳　621900) (2006 年 9 月 13 日收到 ;2006 年 11 月 23 日收到修改稿) ( ) ( ) 　　利用基于密度泛涵理论的超软赝势法 USPP ,结合局域密度近似 LDA ,对过渡族金属离子掺杂的纤锌矿型 ZnO 做第一性原理计算 ,得到了它的平衡晶格常数 、结合能、电子态密度分布 、能带结构 、介电函数 、光学吸收系数 等性质 ,详细讨论了掺杂后 ZnO 化合物的电子结构及成键情况 ,并结合实验结果定性分析了掺杂后光学性质的 变化. 关键词 : 氧化锌 , 掺杂 , 第一性原理 , 光学性质 PACC : 7110 , 7360P , 7840 G , 7855E ( ) [2 ] 缘体 比如说MgO 有着很大的相似性 。Ditel 等在 1 引 言 他们的理论研究中预测 5 % Mn 掺杂 ZnO 基 DMSs 的 TC 可能要大于室温[3 ] , 因此随后对 ZnO 基 DMSs ( 随着具有铁磁性半导体 比如 Mn 掺杂 InAs 和 进行了较多理论和实验上的研究. GaAs ) 的 发 现 , 稀 磁 半 导 体 ( diluted magnetic Sato 等[2 ] 首先利用 KKR 格林函数法结合 LDA semiconductors ,DMSs) 近来吸引了众多研究者的 目 近似系统的研究了 ZnO 基 DMSs 的性质 ,掺杂浓度 光[ 1] ,这是因为传统半导体是不具磁性的 ,而稀磁半 ( )