迎接10nm时代如何取得更出色的表现-Mentor.PDFVIP

迎接 10nm 時代 ： 如何取得更出色的表現 毋庸置疑，這一行業趣味無窮，讓人樂在其中。我們每年滿懷期待的就是最先進的 積體電路（IC ）技術。幾年前，我們的重點還是20 奈米制程 ，而今年則是16/14nm ，而 且私下裡已經有關於10nm 的傳言了。此時正值美國的棒球季，用棒球來比喻我們的行 業現狀，似乎再恰當不過了。本壘區的擊球手全身心地投入比賽，面對可能來自任何方 向、時速90 英里的擲球，嘗試占壘並得分，而下一個擊球手正蓄勢待發，一邊熱身一 邊觀察投手，分析他的下一步動作。他希望自己在開始行動前做好充分的準備，無論投 手向他扔來什麼，他都能鎮定自若。 那麼，在我們自己的棒球角逐中，我們處於技術節點生命週期的哪個階段呢？ 僅僅幾年前，鋪天蓋地的宣傳都是向20nm 邁進。而現在，20nm 早已“占壘”並已 量產。不少客戶已經將20nm 制程方案投入生產，而且這種產品將會越來越多。  Xilinx 設計定案首個20nm 全可程式設計設備  KnCMiner 敲定世界首台20nm 比特幣特定用途積體電路（ASIC ）挖礦機設計方 案  TSMC 即將生產Apple 2014 年20nmA8 處理器 今年，16/14nm 技術已經上壘，且有望得分。大家應該記得，16 和14nm 本質上是 同一工藝制程的兩種說法，即鰭式場效應（FinFET ）電晶體的20nm 後段制程（BEOL ）。 事實上，這一技術節點仍處於發展階段，已進入早期投產並有望在今年下半年維持現狀。 目前僅有幾十個測試晶片和早期晶片產品下線。  TSMC 與開放創新平臺（OIP ）生態系統合作夥伴共同推出16FinFET 和3D 積體 電路（IC ）參考流程  Altera 和Intel 加大生產合作力度，開發?  SK Hynix 開始全面量產16nm 存儲型快閃記憶體  Samsung 和GLOBALFOUNDRIES 打造戰略合作，通過多種管道提供 14nmFinFET 半導體技術  Samsung 的14nmFinFET 製程技術生態系統準備就緒，手機消費者和資訊技術（IT ） 基礎設施片上系統（SoC ）應用程式將受益  Ansys 和Intel 合作為Intel 客製化代工部門客戶推出功耗POWER 、電遷移EM 和 可靠度 signoff 參考流程  Intel 為代工部門客戶定制的14nm 製程中完全可採用Mentor Graphics 的工具軟體 10nm 也已準備就位。10nm 的工藝開發正在有序進行，早期的IP ）開發目前已進入 代工廠並形成自己的生態圈。10nm 已經蓄勢待發，即將迎來第一批客戶測試晶片，並 將於2014 年下半年持續增長，2015 年將迎來更猛的發展態勢。  Samsung 引進先進的輕薄智慧手機及平板電腦記憶存儲解決方案  UMC 加入IBM 晶片聯盟，進行10 奈米製程開發  TSMC 未來重要項目研發概要  Intel 細化10 奈米 、7 奈米和5 奈米製程規劃 那麼，這些節點登場後，將分別面臨哪些曲線球和快球呢？ 這些節點對設計師的影響最大。設計師需要設計出與垂直整合製造商（IDM ）或代 工廠的設計規則相符的電路系統和佈局，隨著新的更複雜的設計規則的引進，在20nm 及以下，節點的難度急劇增大，給設計師帶來更加嚴峻的挑戰。20nm 節點還引進了雙 重曝光技術（Double Patterning ），要理解設計的產品如何投入實際生產和將會面臨的各 種問題，對設計師來說又是另一項挑戰。要設計並驗證能在2 層掩模間精確走線的佈局， 意味著設計師需要接受並熟悉大量全新的設計理念和規則。20nm 將面臨最小填充到最 大填充的轉變。 16/14nm節點在維持其他20nmBEOL 的基礎上，引進了一種新的電晶體設計（FinFET ）。 FinFET 設計的優勢在於其具有明顯的IC 性能和功率優勢，但新的電晶體設計帶來了對 更加準確的電容參數提取（PEX ）模型的需求及更複雜的填充需求，還有一如既往的複 雜的設計規則驗證 （DRC ）。 10nm 節點將面臨更多激動人心的挑戰。10nm 給我們帶來了較之於前一代製程30% 以上的DRC 增加，這是我們從40nm 節點就一直在拼命追趕的。20 奈米時一些雙重曝 光分色的佈局已經有支援且是