单轴应变对氮化铟电子结构及光学性质的影响.DOCVIP

单轴应变对氮化铟电子结构及光学性质 的影响 A 侯清玉 内蒙古工业大学理学院物理系上海海事大学文理学 篋乌兰察布广播电视台 采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波赝势方法，计算单轴应变下闪锌 矿氮化铟的电子结构及光学性质.结果表明:施加应变会使带隙变窄.对于拉应变, 随着应变增大带隙减小程度增大;对于压成变，随应变增大带隙减小程度减弱； 且拉、压应变对带隙调控都是线性的.在能量区间4 eV2 eV范围内施加应变时， 氮化铟的吸收光谱发生红移，随拉应变程度增加，吸收光谱的红移进一步加大； 随压应变增加，吸收光谱红移减弱;在该范围内，氮化铟的折射率、反射率随拉 应变的增大而增加，随压应变增加减小;施加拉应变时能量损失函数峰值增大， 施加压应变后能量损失函数峰值减小.通过施加单轴应变能奋效调节氮化铟材料 的电结构及光学性质. 关键词： 氮化铟;应变;电结构;光学性质; (co)与 电子和光子相互作用密切相关，而介电函数的虚部主要表征了电子的占有态和 非占有态之间的跃迁.计算得到In N的能带结构后，根据直接跃迁概率的定义可 以推导出介电函数虚部s 2 (o),再由Kramer-kronig色散关系得到介电函数 实部e, (o),进而推导出其它的光学常数:吸收系数，折射率和能量损失函数. 本文计算了 1%、2%、3%、4%、5%的拉应变与压应变，为了绘图更加清晰，只列 出丫 1%、3%、