COB封装中芯片在基板不同位置的残余应力.pdfVIP

第 卷第 期 功能材料与器件学报 ? :@A= ? /@= 年 月 ’##’ ’ +,-./01 ,2 2-/345,/01 6047.5018 0/9 97:5378 9;= ’##’ 文章编号! ##$ % ’(’ ) ’##’ * # % ##’ % #( 3,B 封装中芯片在基板不同位置的残余应力 孙志国 黄卫东 蒋玉齐 罗 乐 ) 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 上海 * ’###(# 摘要 利用硅压阻力学芯片传感器作为原位监测的载体，研究了直接粘贴芯片的封装方式中，芯片 ! 在基板上的不同位置对于封装后残余应力的影响以及在热处理过程中残余应力的变化，发现粘贴 在基板靠近边的位置和中心位置时应力水平接近，但是靠近基板一角的位置应力较大，而且在热 “ ” “ ” 处理过程中应力出现 突跳 和 尖点 。 关键词 硅压阻传感器 残余应力 位置 失效 ! C C C 中图分类号! 4D#$C 4/E#(= F 文献标识码! 0 !#$%’( #)*## +, %$,,*-) #.#)*’) #$) +- $- /01 2’34’5# 8-/ GHI % JK@ L-0/D M;I % N@OJ +50/D PK % QI 1-, 1; ) 8HROJHRI 5OSTITKT; @U 6IV@SWST;X RON 5OU@VXRTI@O 4;HO@A@JW 3HIO;S; 0RN;XW @U 8I;O;S 8HROJHRI ’###(# 3HIOR * 6.#)*’3)! 8IAI@O YI;Z@V;SISTI[; S;OS@V \RS RYYAI;N H;V; T@ IO % SITK V;@VN TH; KVIOJ STV;SS YV@UIA; TH; NISTVI]KTI@OS @U TH; V;SINKRA STV;SS RON TH; STV;SS ;[@AKTI@O YV@UIA; NKVIOJ TH;VXRA TV;RTX;OT= 5T IS U@KON THRT \H;O TH; HIY IS RTTRH;N RT TH; ;OT;V @V O;RV @O; ;NJ; @U TH; ]RS; ]@RVN TH; V;SINKRA STV;SS IS V;ARTI[;AW A@\C \H;O TH; HIY IS RTTRH;N O;RV R @VO;V @U TH; ]RS; ]@RVN TH; V;SINKR STV;SS IS V;ARTI[;AW HIJH= 6@V;@[;V NKVIOJ TH; TH;VXRA TV;RTX;OTS NVRXRTI SH@^S RON STV;SS Y;R^S RV; V;@VN;N \H;O TH; HIY IS RTTRH;N O;RV TH; @VO;V @U TH; ]RS; ]@RVN= 78 9+*%#! SIAI@O YI;Z@V;SITI[; HIYC V;SINKRA STV;SSC SIT;C URIAKV; 引言 随着芯