As异质结的热电子-维普.PDFVIP

维普资讯 弟 I1卷 第 1l期 半 导 体 学 报 Vo1．11，No．1I l990年 l1月 CH INESE JOURNAL OF SEM ICONDUGTO孔5 N09-．， 1990 GaAs—AIGa 一 As异质结的热电子 磁声子共振测量 程文超 李月霞 粱基本 (半导体超晶格国家重点实骏室，中国科学院半导体研究所 ，北京) 1989年 11月 1日收到 在 4．2K，我们测量了 GaAs—A1一Ga ，As异质结的二维热电子的磁声子共振． 高电场 下，SdH 撮荡消共以后，在二维系统中，酴清楚地观察到 LO 声子振荡外，还观察到X点双 TA 声子振荡． 主囊调 碰声子共振，二维系统，热电子，GaAs—AI—Ga As异质结 一 、 引 言 在光学声子散射 占主要优势的温区内，如液 N 温度附近或更高，由于非简并半导体 _样品的LO声子共振吸收，人们可以在磁阻测量中，观察到一系列振荡峰值，这是发生在 一欧姆区的磁声子振荡 ，也称为常规磁声子振荡．各种半导体材料的磁声子特性，在理论上 和实验上均被广泛 的研究 ． 在二维系统 中，Tsai等人 首先观寮到 GaAs-AIGa As异质结和超 晶格的磁声 子共振现象．尔后 ，GaInAs—InP 异质结 ， GalnAs—AlInAs 异质结 和 Ga，Inl一As， P。一y-InP量子阱 等的高温磁声子共振吸收现象均被观察和研究．高温时，人们只能了 解 电子和LO声子的相互作用．为了研究电子发射声子过程 以及和其他声子模的相互作 用 ，Stradling和 Wood低温下测量了GaAs体材料 中热电子的 LO 声子发射过程 ，并 发现 了低温下伴随有杂质原子 l和 2态的捕获电子过程 ；在 InSb 中观 察到x点 双 TA声子的振荡峰，并给出了 GaAs材料 中x点双 TA声子的振荡峰值位置 ． 在 GaAs—A】Ga一As异质结的 SdH 振荡测量中，增加 电场，升高电子温度，可以 减弱 SdH 振荡和增强磁声子振荡． 在温电子情况下 ，可以同时观测到这两种振荡周 期 ，，．但是，由于LO声子振荡信号很微弱和两种信号的混杂， 降低了数据的可靠性． 本文报告了高电场下 GaAs—A1Ga As异质结磁声子发射过程 的测量． 在热电子 情况下，进行磁阻测量，SdH振荡完全消失 ．相反 ，磁声子撮荡比温 电子情况变得明显 ．因 此在磁阻曲线上可以清楚地观察到电子一声子相互作用产生的磁声子共振． 下面将详细 ·国家 自然科学基金资助项 目 维普资讯 半 导 体 学 报 讨论测量和实验结果． 二、样品制备和测量 实验中的样品是使用 MBE技术制造的．为了进行比较，我们制备了两种不同参数脖 样品，样品号分别是 BG043和 BG061． 首先在不掺杂的 GaAs衬底上生长 1m厚的 外延层，然后生长厚度分别是 1O0直和 300直，不掺杂的 A1Ga。一As隔离层，最后生长 掺杂浓度 ⅣD1 10tScm～，厚度 600直 的 A1Ga。一As层．两个样品的x值也不同，分别 是 O．4和 O．3． 从 SdH 振荡周期和零磁场 电阻率，测得 了载流子浓度和 电子 迁 移 率 ． BG06l的 Ns一 3×l0ucm 和 一 1．2×l0’cm ／VS． 样 品 BG043的M 一4× 10“cm 和 一 2× 104cm ／v．s． 使用常规的光刻工艺技术，样品制成长 1600~m，宽 230Fm 的导电沟道．电极是用 In球烧结而成，在 N：气氛中410℃下，烧结