GaN基雪崩光电二极管及其研究进展-红外与激光工程.PDFVIP

第 卷第 期 年 月 43 4 红外与激光工程 2014 4 Vol.43 No.4 Infrared and Laser Engineering Apr.2014 GaN 基雪崩光电二极管及其研究进展 刘福 浩 1,3 ，许金 通 2,3 ，王 玲 2,3 ，王 荣阳 1,3 ，李 向阳 2,3 ( 1. 中国科 学院上 海技 术物理研 究所 传 感技 术 国家重点 实验 室 ，上 海 200083 ； 2 . 中国科 学院上 海技 术物理研 究所 红外成像材料 与器件 重点 实验 室 ，上 海 200083 ； 3 . 中国科 学院大学 ，北京 100049) 摘 要： 越来越 多的民用与军事对 高灵敏度 紫外探 测的需求促进 了 GaN 基 雪崩光 电二极 管(APD) 的快 速发展 。 雪崩光 电二极 管工作在 高反偏 电压状 态，器件 内部载流子在 高场下发 生碰撞 离化 ，从 而使探 测 信号产生增益 。 首先对 GaN 基 雪崩光 电二极 管的研 究进展进行 了回顾 ，然后 重点报道 了器件 的增益最 5 大可达 3×10 ，介绍 了本征层厚度与器件 暗电流的关 系，简单介 绍 了正在组建的基 于相敏探 测的交流增 益测试 系统 ，并研 究 了过剩噪声与调制频率之 间的关 系，发现在低频 波段(30~2 kHz) ，过 剩噪 声呈现 1/f 噪声特性 。 最后 ，对盖革模式的雪崩光 电二极 管的研 究进展及应用前景进行 了简单介绍。 关键词： 雪崩光 电二极 管 ； 增益 ； 暗 电流 ； 噪声 ； 盖革模 式 中图分类号：TN23 文献标志码： A 文章编号： 1007-2276(2014)04- 1215-07 GaN-based avalanche photodiodes and its recent development Liu Fuhao1,3 , Xu Jintong2,3 , Wang Ling2,3 , Wang Rongyang1,3 , Li Xiangyang2,3 ( 1. State Key Laboratories of Transducer Technology , Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083 , China ; 2 . Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083 , China ; 3 . University of Chinese Academy of Sciences, Beij ing 100049 , China) Abstract : The inv