Ge组分分布对基区杂质非均匀分布的SiGeHBT温度特性-物理学报.PDFVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 3 (2013) 034401 Ge 组分分布对基区杂质非均匀分布的SiGe HBT 温度特性的影响* † 张瑜洁 张万荣 金冬月 陈亮 付强 郭振杰 邢光辉 路志义 ( 北京工业大学电子信息与控制工程学院, 北京 100124 ) ( 2012 年8 月1 日收到; 2012 年8 月31 日收到修改稿) 众所周知, 双极型晶体管的设计主要是基区的设计. 一般而言, 基区的杂质分布是非均匀的. 本文首先研究了非 均匀的杂质高斯分布对器件温度分布、增益和截止频率的温度特性的影响, 发现增益和截止频率具有正温度系数, 体内温度较高. 随后研究了基区Ge 组分分布对这些器件参数的影响. 均匀Ge 组分分布和梯形Ge 组分分布的SiGe 异质结双极型晶体管增益和截止频率具有负温度系数, 具有较好的体内温度分布. 进一步的研究表明, 具有梯形Ge 组分分布的SiGe 异质结双极型晶体管, 由于Ge 组分缓变引入了少子加速电场, 不但使它的增益和截止频率具有较 高的值, 而且保持了较弱的温度敏感性, 在增益、特征频率大小及其温度敏感性、体内温度分布达到了很好的折中. 关键词: SiGe 异质结双极型晶体管, 温度特性, 基区杂质分布, Ge 组分分布 PACS: 44.10.+i, 72.20.Pa, 85.30.z DOI: 10.7498/aps.62.034401 原本掺杂均匀, 在后续的制作过程中, 热过程也可 1 引言 能导致基区杂质外扩, 最终使杂质分布不均匀. 为 了减少发射结和集电结的电容和隧穿泄漏电流, 改 SiGe 异质结双极型晶体管(HBT), 在温度特性, 善两结的击穿电压, 基区杂质浓度在两结处应保持 直流特性和频率特性方面都具有比Si 双极型晶体 较低的值. 基区杂质的非均匀分布, 因杂质浓度向 管(BJT) 优越的性能. 对于双极型晶体管的设计主 发射极侧的减小产生了少子阻滞电场, 杂质浓度向 要是基区的设计, 改变基区杂质分布会影响双极型 集电极侧的减小产生了少子加速电场, 而阻滞电场 晶体管的热电特性, 改变基区Ge 组分分布也会影 会对器件产生一些消极的影响. 因此, 对于基区杂 响SiGe HBT 的热电特性. 目前, 很多学者研究了 质非均匀分布的SiGe HBT, 将基区Ge 组分设计成 基区杂质分布(均匀的、高斯形式的、指数形式的 先缓变再恒定的梯形分布, 可以使能隙缓变引起的 分布) 对器件电学特性的影响 12 , 或是在基区杂 自建电场部分地补偿杂质减小而产生的阻滞电场, 质为均匀分布的情况下研究Ge 组分对器件电学特 以减弱其对器件的消极影响. 34 性的影响 , 但是很少有学者研究Ge 组分分布 本文基于SILVACO 软件, 用高斯分布来表征 对基区杂质分布不均匀的SiGe HBT 电学特性的影 基区杂质的不均匀性, 研究了杂质不同高斯分布对 响, 几乎没有对器件温度特性影响的研究. 而SiGe 器件温度分布和电学特性的影响, 在选择了峰值浓 HBT 温度特性也是极其重要的, 比如在大功率应用 度在基区中间位置的高斯分布的基础上, 研究Ge 时(器件自热), 不同的温度环境工作, 人们希望器 组分分布对基区杂质高斯分布的SiGe HBT 的热电 件特性不发生漂移, 特性参数热稳定58 . 特性的影响, 发现Ge 组分梯形分布的SiG