He离子注入ZnO中缺陷形成的慢正电子束研究-物理学报.PDFVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 22 9 %%) 9 ， ， ， /=G 722 ?= 7 9 AHIHJK %%) （ ） !%%%’$(%@%%)@22 %9 @#$2$’%2 AB;A C6DEFBA EF?FBA !%%) BLM+ 7 CLNJ 7 E=3 7 ! 离子注入#$% 中缺陷形成的慢正电子束研究! !） ） 陈志权 河裾厚男 !）（武汉大学物理系，武汉 #$%% ） ）（日本原子力研究所，日本群马 $%’!( ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） %%) ! # %%) # !$ 在 单晶样品中注入了能量为 — 、总剂量为 !2 5 的 离子 利用基于慢正电子束的多 *+, % !%% -./ # 0# 1 !% 34 6. 7 普勒展宽测量研究了离子注入产生的缺陷 结果表明， 离子注入 产生了双空位或更大的空位团 在 以 7 6. *+, 7 #%% 8 下退火后， 开始填充到这些空位团里面，造成空位团的有效体积减少 经过 以上升温退火后，这些空位团 6. 7 #%% 8 的尺寸开始增大，但由于有少量的 仍然占据在空位团内，因此直到 这些空位团仍保持稳定 高于 退 6. 9%% 8 7 9%% 8 火后，由于6. 的脱附，留下的空位团很快回复，在!%%% 8 下得到完全消除7 关键词：慢正电子束， ，离子注入，缺陷 *+, ： ， ， ’(( 9%: )!%: )!%; 固溶度的影响，因此有望借助这一方法实现*+, 中 的 型掺杂 但是离子注入不可避免地会产生大量 !0 引 言 7 的缺陷，这些缺陷除了影响材料的导电性能（如补偿 ［］ ! 随着在 !((9 年==- 等 成功制备高质量的大 载流子），还会严重影响*+, 的发光性能，如作为非 块*+, 单晶，近几年来这一材料已引起了人们的广 辐射复合中心和深能级发光中心，抑制*+, 的紫外 ［— ］ 泛关注 # 作为第三代半导体， 具有很多优 发光7 缺陷还有可能与注入的杂质发生作用，影响其 7