三嗪对CVD石墨烯n型掺杂的研究-无机材料学报.PDFVIP

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2018-02-28 发布于天津
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三嗪对CVD石墨烯n型掺杂的研究-无机材料学报.PDF

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三嗪对CVD石墨烯n型掺杂的研究-无机材料学报

第32 卷第5 期无机材料学报 Vol. 32 No. 5 2017 年5 月 Journal of Inorganic Materials May, 2017 文章编号: 1000-324X(2017)05-0517-06 DOI: 10.15541/ji 三嗪对 CVD 石墨烯 n 型掺杂的研究 1, 2 2 2 刘颖 , 戴丹 , 江南 (1. 上海大学材料科学与工程学院, 上海 200072; 2. 中国科学院宁波材料技术与工程研究所, 宁波 315201) 摘要: 以化学气相沉积(CVD)制备的单层石墨烯为原料, 小分子三嗪为掺杂剂, 采用吸附掺杂的方式, 在低温下对石墨烯实现n 型掺杂。利用拉曼光谱(Raman)、X 射线光电子能谱分析(XPS)、原子力显微镜(AFM)、紫外分光光度计(UV)和霍尔效应测试仪(Hall)对样品的形貌、结构及电学性能进行表征。结果表明: 该方法简单安全, 能够对石墨烯实现均匀的n 型掺杂, 掺杂石墨烯的透光率达到95% 。掺杂后石墨烯的特征峰G 峰和2D 峰向高波数移动。掺杂180 min 后, 载流子浓度达到4×1012 2 /cm , 接近掺杂前的载流子浓度, 掺杂后的石墨烯在450 ℃的退火温度下具有可逆能力, 其表面电阻在300 ℃以下具有较好的稳定性。关键词: CVD 石墨烯; 三嗪; n 型掺杂; 载流子浓度; 表面电阻中图分类号: TB321 文献标识码: A Synthesis of the Nitrogen-doped CVD Graphene through Triazine 1, 2 2 2 LIU Ying , DAI Dan , JIANG Nan (1. Shanghai University School of Materials Science and Engineering, Shanghai 200072, China; 2. Ningbo Institute of Materi- als Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences, Ningbo 315201, China) Abstract: Nitrogen-doped graphene (N-graphene) was prepared via molecular doping from symTriazine molecules at low temper