也就是状态编码和输出逻辑变量相同.PDF

数字逻辑和时序 主讲：何宾 Email ：hebin@mail.buct.edu.cn 2016.03 晶体管与I/O驱动 --晶体管作为开关  随着半导体技术的不断发展，人们采用半导体器件实现类似继电 器那样的闭合和断开一样的功能。半导体物理器件是通过外部施 加的电压来控制它的导通和截止。用于现代数字电路的晶体管开 关称为金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors ，MOSFETs ） 晶体管与I/O驱动 --晶体管作为开关 晶体管与I/O驱动 --晶体管作为开关  当在第三个端口（栅极）施加合适的逻辑电平时，在两个端口 （源极和漏极）之间就会流过电流。在最简单的FET模型中，源 极和漏极之间的电阻是一个栅-源电压的函数，即：栅极电压越 高，这个电阻就越小。因此，就可以通过更大的电流。当应用在 模拟电路中，比如音频放大器，栅-源电压值可以取GND和Vdd 之间的任何值。但是，在数字电路中，由于只存在两个状态，因 此栅极和栅极之间的源电压值只能是Vdd或GND （当然，当栅极 电压从Vdd变化到GND或从GND变化到Vdd时，必须假定电压在 Vdd和GND之间）。 注 ：假设这个状态改变的过程非常快，所以忽略在栅极电压在这段变化时间的FET特性。 Vdd为MOSFET的供电电压，GND为地。 晶体管与I/O驱动 --晶体管作为开关 在一个简单的数字电路模型中，可以将MOSFET当作一个可控的 断开（截止）或者闭合（导通）的电子开关。根据不同的物理结 构，FET包含两种类型：  nFET 即当栅极输入电压为Vdd时 ，栅极和漏极导通 ，即：闭合；否则 当栅极输入电压为GND时 ，栅极和漏极断开 ，即：截止。  pFET 即当栅极输入信号为GND时 ，栅极和漏极导通 ，即：闭合；否则 当栅极输入信号为Vdd时 ，栅极和漏极断开 ，即：截止。 晶体管与I/O驱动 --晶体管作为开关  单个的FETs经常用作独立的电子可控开关。例如，对于一个 nFET ，如果电源接到源极，负载（如发动机、灯、或其他的应 用中的电子元件）接到漏极。在该应用中，nFET可以打开或关 闭开关。当栅极接入GND时，导通负载元件；而栅极接入Vdd 断开负载元件。典型的，打开一个FET需要一个相对小的电压 （几伏特的量级）。即使这个FET正在切换的是一个大电压和大 电流。用于这种目的的单个FETs通常是相当大的（巨大的）设 备。 晶体管与I/O驱动 --晶体管作为开关  FETs也可以用于电路中充当有用的逻辑功能，如AND、OR、 NOT等。在这种应用中，几个非常小的FETs组成一个简单的小 硅片（或硅芯片）。然后，用同样大小的金属导线互连起来。典 型的，这些微小的FETs占用的空间小于1x10-7m2。因此，一个 硅芯片的一端可以是几个毫米，一个单芯片上可以集成数百万的 FETs。当所有的电路元件整合集成到同一块硅片上时，将这种 形式组成的电路称为集成电路（Integrated Circuit ，IC ）。 晶体管与I/O驱动 --单片机I/O驱动原理  STC单片机提供了四种驱动模式，即准双向输出、强推挽输出、 仅为输入（高阻）和开漏输出。理解和掌握这些驱动模式和应用 场景，对于将STC单片机与外部设备正确地连接非常重要。下面 对STC单片机I/O口的不同配置模式进行详细的说明：  准双向输出配置