[理学]第三讲自旋电子学.ppt

自旋电子学及其相关领域前沿科学研究 一、巨磁电阻效应（GMR） 二、隧道磁电阻效应（TMR） 三、稀磁半导体（DMS） 一、巨磁电阻效应（GMR） 巨磁电阻（GMR）效应 Fert （1988） Fe/Cr 超晶格 Phys Rev.Lett. 61(1988), 2472 FM层间的振荡耦合――普适现象 Parkin 的贡献 （1990） Co/Ru， 振荡周期 约12埃 FM层间的振荡耦合――SMOKE 丘子强等 1992 Fe/Mo/Fe 单层膜厚度 t 的限制金属：t（≈2nm ）《 λ(≈20nm)《 Ls (≈200nm）  a，增大分子。需远小于”自旋弛豫长度“。两流体近似。 b，减小分母。需远小于”平均自由程“。弹性散射。 *平均自由程λ（10－30纳米） 自旋弛豫长度Ls（100－500纳米） Mott两流体模型 (1) N.H.Mott,Proc.Roy.Soc. A153,699(1936) 近似：电子与（热激发）自旋波散射可以忽略， （低于居里点） 只考虑电子与磁性离子自旋间的散射。 （s－d散射） 约定：与磁矩同方向的电子处于主要子带（majority） 相反方向自旋电子处于次要子带（minority） 两流体模型（2） 散射过程中没有自旋反转 S↑电子未被d ↑（ majority ）电子散射，对电导贡献大 （d ↑在Fermi面没有状态) S↓ 电子 被d ↓(minority )电子散射，对电导贡献小 ( d ↓有效质量太大) 结果： 电导的自旋相关因子 两流体模型（3）α测量值：Co和Ni大；Fe较小；Cu为零I.A.Cammpbell and A.Fert (1982) Mott两流体模型(4) 计入Spin－flip 散射（热自旋波散射）， 高温电阻率 低温电阻率（Spin－flip 散射 ） Mott模型和GMR效应（1） 按Mott模型（看上图） 1，电子自旋与所在层磁矩 相同时， s电子与（Majority）d 电子散射弱， 电子自旋与所在层磁矩 相反时， s电子与（Minority）d 电子散射强。 Mott模型和GMR效应（2） 2，如果，平均自由程 （单层厚度） 磁电阻比率 其中， Pseudo spin valve (PSV) M(H) R(H) Spin-Valve (SV) Spin valve (SV) – M(H) R(H) high magnetoresistance field sensitivity 二、隧道磁电阻效应（TMR） （二）隧道磁电阻（TMR）的发现与新进展 1975 年在铁磁/半导体/铁磁三层膜中的磁隧穿测量，是在低温4.2 k 进行 平行和反平行磁化状态对应的电导相对差别为14％，这就是最早的隧穿磁电阻（TMR）效应。 静止20 年后，1995 年日本科学家宫崎照宣报道了电导的相对变化在室温下达到18％，同年美国MIT 研究组也报道了类似结果，这是GRM 效应之后最重大的进展。于是，在世界范围掀起了自旋电子学研究和开发的第二个高潮。 TMR与GMR之比较 隧穿磁电阻（TMR）同金属多层膜以及自旋阀(spin valve)的巨磁电阻(GMR)效应有相似的应用，但它比自旋阀具有更高的磁电阻比值及相似的翻转磁场，因而可以有更大的灵敏度，且有内阻高、功耗低、输出电压高等特点。 TMR和GMR都可以在室温使用！！！ 1997－2005年计算机硬盘的读头使用GMR， 2004年－至今计算机硬盘的读头大部分使用TMR。  GMR TMR 隧道磁电阻效应 最新进展－量子振荡 TMR 隧穿现象 “M－I－M” 振荡波和衰减波 电子的穿透率 用 WBK 方法计算波函数 计算穿透率 T 自由电子平面波情况 结果： 简化： 位垒 与坐标无关， （1）强入射、弱势垒 入射能量 E接近 V0、 绝缘层很窄 (X2-X1)→ 0。 那么，I → 0；T→1。 电子的穿透。 （2）弱入射、强势垒 反之。 那么，I → 很大；T→很小。电子受阻。 隧穿电流 Simmons 公式！（1963） 应该计入 Fermi