[理学]第二章常用半导体器件.ppt

ED的存在，使得漏极D附近的电位高，而源极S附近的电位低，即沿N型导电沟道从漏极到源极形成一定的电位梯度，这样靠近漏极附近的PN结所加的反向偏置电压大，耗尽层宽；靠近源极附近的PN结反偏电压小，耗尽层窄，导电沟道成为一个楔形。 也称为漏极特性曲线，它是在 U GS 一定时， U DS 和 I D 之间的关系曲线。可分为三个区域：可变电阻区、恒流区和击穿区，。 可变电阻区是因为在 UDS | U P | 的区域，I D 随 U DS 线性变化，而且其电阻随UGS增大而减小，呈现出可变电阻特性。恒流区中，当U DS 进一步增大时， I D 基本不随 UDS 的变化而变化，只受UGS 的控制而呈线性变化，即图2-24（b）中的恒流区，这也是场效应管在模拟电子电路中的主要工作区域。把UDS 一定时，漏极电流变化量ΔID 与栅-源极电压变化量ΔU GS 之比称为场效应管的跨导，用gm 表示。 gm = ΔI D/ΔUGS gm 的单位是西门子（S），它反映了UGS对ID的控制能力。当继续增大时，由于反向偏置的PN结发生了击穿现象，突然上升。一旦管子进入击穿区，如不加限制将导致损坏。 2、结型场效应管的工作原理 ◆当ED = 0，栅源间加负电压EG PN结反偏，耗尽层变宽，导电沟道变窄，沟道电阻增大。改变漏极D与源极S之间的电流。 ◆当ED ≠ 0，栅源间加负电压EG 3、结型场效应管的特性曲线 ◆转移特性曲线 转移特性曲线是在一定的漏-源电压 UDS 下，栅-源电压 UGS 与漏极电流 ID 之间的关系。 ◆输出特性曲线 跨导 gm = ΔI D/ΔUGS gm单位是西门子（S），反映了UGS对ID的控制能力。 二、绝缘栅场效应管 结型场效应管的输入电阻虽然很高，许多场合下还要求进一步提高。人们在1962年制造出一种栅极处于绝缘状态的场效应管，称为绝缘栅场效应管，输入电阻10^ 15 Ω。 目前应用最广泛的是一种是以二氧化硅为绝缘层的场效应管。这种管子称为金属-氧化物-半导体场效应管（Metal Oxide SemIConductor FET简称 MOSFET或MOS管）。 绝缘栅型场效应管可分为增强型和耗尽型两类。 1、N沟道增强型绝缘栅型场效应管 N沟道增强型绝缘栅型场效应管是以一块杂质浓度较低的P型半导体作衬底，在它上面扩散两个高浓度的N型区，各自引出一个为源极S和漏极D，在漏极和源极之间有一层绝缘层（SiO2），在绝缘层上覆盖金属铝做为栅极G，P型半导体称为衬底，用符号B表示, ◆当UGS =0，在DS间加上电压 UDS 时，漏极D和衬底之间的PN结处于反向偏置状态，不存在导电沟道，故DS之间的电流ID =0。 ◆当UGS ≠0，栅极G与衬底之间将形成一个N型薄层，其导电类型与P型衬底相反，称为反型层 。DS之间存在一个导电沟道，ID开始出现，沟道的宽度随UGS 的继续增大而增大。 2、N沟道耗尽型绝缘栅场效应管 在SiO2绝缘层中掺有大量的正离子，管子在UGS =0时就能在P型衬底上感应出一个N型反型层沟道，DS间有电压UDS，漏极电流ID产生。 如果UGS＞0则沟道加宽，ID随之增大，反之如果UGS＜0则沟道变窄，ID随之减小，栅极电压UGS 对漏极电流ID的控制作用；UGS负到一定数值则沟道彻底消失，ID=0。 3、绝缘栅型场效应管的特性曲线 ◆ UT 称为开启电压。只有当UGS UT 时才能使ID 0 ◆ UP称为夹断电压 。UGS = UP时，沟道被关断，ID =0 3、使用注意事项 ◆场效应管的栅极切不可悬空。因为场效应管的输入电阻非常高，栅极上感应出的电荷不易泄放而产生高压，击穿损坏管子。 ◆存放时，将绝缘栅型场效应管的三个极相互短路，以免受外电场作用而损坏管子，结型场效应管可开路保存。 ◆焊接时，应先将场效应管的三个电极短路，并按源极、漏极、栅极的先后顺序焊接。烙铁要良好接地，并在焊接时切断电源。 ◆绝缘栅型场效应管不能用万用表检查质量好坏，结型场效应管则可以。 4、 场效应管的选择方法 ◆当控制电压可正可负时，应选择耗尽型场效应管。 ◆当信号内阻很高时，为得到较好的放大作用和较低的噪声，应选用场效应管；而当信号内阻很低时，应选用三极管。 ◆在低功耗、低噪声、弱信号和超高频时，应选用场效应管。 ◆在作为双向导电开关时应选场效应管。 从共价键晶格结构来看，每个原子外层都具有8个价电子。但价电子是相邻原子共用，所以稳定性并不能象绝缘体那样好。 （1）扩散运