一nmos场效应晶体管的特性分析.docVIP

集成电路设计技术实验指导书 张如亮 乔世杰 编 余宁梅 审 自动化与信息工程学院 电子工程系 二〇〇六年五月 目录 实验报告撰写要求 1 电路模拟部分 实验一 NMOS场效应晶体管的特性分析 1 实验二 CMOS双输入与非门直流特性分析 4 实验三 一位全加器电路设计及瞬态特性分析 6 实验四 DFF电路设计及电路特性分析 8 附一：Hspice软件使用介绍 10 附二：TSPICE软件使用介绍 14 Verilog设计部分 实验一 全加器的设计与仿真 19 实验二 计数器及分频器设计与仿真 21 实验三 FSM设计及FPGA验证 23 附三：MODELSIM使用介绍 25 附四：QUARTUSII及FPGA验证系统介绍 29 附五：SPICE电路模拟示例 48 实验报告撰写要求 实验报告必须用学校统一印刷的报告纸书写，报告内容必须包含预习报告和正式报告两部分： 预习报告必须在该次实验前完成，无预习报告不得参加当次实验，包括实验名称、实验目的、实验原理、实验内容与要求、实验步骤与方案；正式报告包括实验结果与分析、思考题、实验总结与心得，正式报告在实验完成后写，紧接预习报告部分。预习报告和正式报告合在一起作为该次实验的实验报告上交。 实验名称 实验目的 实验原理——所仿真或设计的电路的基本工作原理或待分析的特性的简单说明。 实验内容与要求——工具软件的练习可