垂直腔面发射激光器的TO封装的耦合效率模拟分析Journalof.PDFVIP

第 27 卷 　第 4 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 27 　No . 4 2006 年 4 月 C H IN ES E J O U RN AL O F S EM I CON D U C TO RS Ap r . ,2006 垂直腔面发射激光器的 TO 封装的耦合 效率模拟分析 1 , 1 1 2 1 刘 　超 　王 　欣 　袁海庆 　钟宝 　祝宁华 ( 1 中国科学院半导体研究所 集成光电子学国家重点实验室 , 北京 　100083) (2 香港城市大学电子工程系 , 香港) 摘要 : 采用 FR ESN EL 光学软件和 MA TL AB 软件 ,详细分析了垂直腔面发射激光器的 TO 封装组件对耦合效率 的影响. 发现增加耦合透镜的折射率 、减少管帽的高度和耦合透镜的尺寸可以提高耦合效率. 关键词 : 耦合效率 ; 垂直腔面发射激光器 ; 封装 EEACC : 4320J ; 4330 中图分类号 : TN 30594 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2006) 1 　引言 2 　VCSEL 的 TO 封装的光学耦合系 统 ( ) 垂直腔面发射激光器 V CS EL 具有许多边发 射激光器不具备的优点, 比如阈值电流低 、光束发散 　　由于 V CSEL 的出光方向垂直于芯片的外延生 角小 、可以在片测试等 , 使其在光纤通信 、光互连 、并 长方向 ,所以 V CSEL 的 TO 封装结构与半导体光 行光信息处理等领域具有广阔的应用前景. 随着近 电探测器的 TO 封装结构类似. 我们设计的 TO 封 年来人们对 V CS EL 芯片研制的日益关注 , 发展与 装为插拔式结构 ,其侧向剖面如图 1 所示. 这种封装 之相适应的封装设计技术是十分必要的. 结构的具体工艺流程为 :首先将烧结好芯片的热沉 V CS EL 芯片 的封装形式[ 1 ] 有塑料封装 、TO 焊接在管座上 ;然后采用金丝球焊技术将芯片的电 (t r a nsist or out li n e ) 封装 、陶瓷衬底封装和倒装 焊[ 2 ] . 其中, TO 封装曾经是晶体管器件常见的封装 形式 , 后来被广泛应用于光电子器件封装. 由于其操 作工艺简单 、成本低 、技术成熟 , V CS EL 芯片的 TO 封装 日益受到人们的重视. 迄今为止 , 关于边发射激光器 TO 封装已有很 多相关报道[ 3～7 ] , 由于 V CS EL 芯片的研发历史比 边发射激光器短 , 有关其 TO 封装的工作却未见报 道 , 只有文献[ 8 ] 简单分析了 V CS EL 与多模光纤直 接耦合时的轴向、横向和倾斜角度的容差. V CS EL 应用于高速远程光通信时, 为了减少模式色散 , 只能 图 1 　V CSEL 的插拔式 TO 封装剖面图 用单模光纤而非多模光纤作为光的传输媒质. 因此 , Fig . 1 　Cro sssection diagram of p luggable TOp ack 分析 V CS