半导体集成线路4章-1.MOS反相器演示课件文.pptVIP

半导体集成电路;;什么是反相器？;由PMOS和NMOS 所组成的互补型电路叫做 CMOS;典型CMOS版图;CMOS反相器的基本特性;反相器中MOS的工作区域;电压传输特性VCT;VCT详解：;VCT详解：;直流转移特性;反相器的直流噪声容限;噪声抑制与噪声容限;噪声容限（Noise Margin）;噪声容限的定义;噪声容限的定义;数字电路的可恢复逻辑特性;Transit Performance;直流特性和瞬态特性比较;上升时间和下降时间的定义;分析上升时间的等效电路;推导CMOS反相器的上升时间;上升过程充电电流的变化;分析下降时间的等效电路;反相器的传输延迟时间;传输延迟时间：阶跃输入;传输延迟：非阶跃输入近似;CMOS反相器的负载电容;电路的最高工作频率;环形振荡器及其频率;环形振荡器及其频率;CMOS反相器的设计; 反相器的噪声容限;;; 反相器的面积; 反相器的功耗;对反相器的设计，就是在给定的工艺条件下，对反相器的噪声容限、速度、面积等因素综合考虑后，得到Wp和Wn。 对称反相器具有最大的噪声容限和相等的上升和下降延迟，因此，在没有具体设计要求情况下是相对优化的设计。;反相器设计例题：;求解过程：上升时间--PMOS;求解过程：下降时间—NMOS（类似PMOS的）;CMOS和NMOS反相器结构比较;1、饱和负载NMOS反相器;直流传输特性;2、电阻负载NMOS反相器;