半导体物理第五章非平衡载流子演示课件文.pptVIP

第五章 非平衡载流子; 在外界因素的作用下，能带中的载流子数目发生明显的改变，即产生非平衡载流子。 晶体管放大 半导体发光 光电导 本章内容： 非平衡载流子的注入，非平衡载流子的复合与寿命，陷阱效应，非平衡载流子的扩散等。 ;5.1非平衡载流子的注入与复合 1、半导体的热平衡状态与非平衡状态 载流子产生率：单位时间单位体积半导体内产生电子－空穴对数目。 载流子复合率：单位时间单位体积内复合的电子－空穴对数目。 热平衡：产生率＝复合率 平衡载流子浓度：;通常对于半导体内产生的非平衡载流子满足：;2、非平衡载流子的注入和检验 外界因素的作用使半导体产生非平衡载流子，称非平衡载流子的注入。;5.2非平衡载流子寿命 1.非平衡载流子复合衰减规律及其寿命;2、寿命测量的实验方法 实验测量非平衡载流子的寿命通常称为半导体材料的寿命;5.3 准费米能级;(1)非平衡载流子浓度越高，准费米能级偏离越远； (2)一般在非平衡态时，往往总是少数载流子准费米能级的偏离大于多数载流子能级的偏离； (3)np与n0p0的偏离反映半导体偏离热平衡的程度;2.直接复合;3.间接复合;（1）俘获电子过程;（3）俘获空穴过程;结论： （1）非平衡载流子的寿命与复合中心密度成反比；;作为间接复合的例子，讨论金在硅中的复合作用;5.5 陷阱效应 陷阱效应与陷阱中心 杂质能级：施主作用，复合中心，缺陷