扫描隧道显微镜对InAsGaAs自组织生长量子点的准原位研究3.PDFVIP

　第 19 卷第 2 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 19, . 2　 V o l N o 　1998 年 2 月　　　　　　CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S　　　　　　Feb. , 1998　 扫描隧道显微镜对 自组织 InA s GaA s 生长量子点的准原位研究 赵　谦　封松林　王志明 ( 中国科学院半导体研究所　半导体超晶格国家重点实验室　北京　100083) 摘要　本文报道了用 联合系统对 量子点进行准原位研究的初步结果. M BE SPM InA s GaA s 图像表明, 在对 + 衬底进行脱氧处理后, 通过生长 缓冲层能有效的改善表 STM n GaA s GaA s 面质量. 在缓冲层上继续生长 2 单原子层 InA s 后形成了量子点. SPM 与透射电子显微镜给出 的量子点形貌的异同在文中也给出了合理的解释, 该研究工作的进一步深入将对自组织生长 量子点的生长机理的理解和样品质量的提高有重要意义. : 7320, 7340 , 6116 PACC L P 1　引言 [ 1 ] [ 2 ] GaA s 衬底上自组织生长的 InA s 量子点结构 , 在三个维度上限制了电子的运动 , 并 [ 3 ] 具有库仑阻塞效应 及许多独特的光电性质, 有着诱人的应用前景; 无论在基础研究还是在 器件应用方面都有相当重要的研究价值, 因而引起人们极大的兴趣. 为进一步研究这种新型 [ 4 ] 结构的物理性质及其可能的应用, 必须首先研究生长这种结构的工艺条件和生长机理 , 以 求得到量子点大小一致、分布均匀、具有所需物理性质的高质量样品. 为确定各种生长条件 对 InA s 量子点形成过程的影响, 并测量最终形成的量子点密度以及形状、大小等形貌特 [ 5 ] 征, 国际上已开展了许多工作 . 本文报道了我们用 联合系统对 量子点进行准原位研究的结 M BE SPM InA s GaA s 果. 与 SEM 的研究结果对比, 有许多一致的地方, 这说明 SPM 结果的可靠性. 对于不完全 符合的部分, 我们在文中也给出了合理解释. SPM 还给出不少 SEM 无法给出的信息. 表现 出它在该项研究中独特的优越性. 2　实验 本工作所用设备为 联合系统, 其中 部分为 公司 80 型