5-2 场放.pptVIP

P249 5.1.1 P251 5.3.3 * * 例5.1.1：一个结型场效应管的转移特性曲线如图所示。试问：它是N沟道还是P沟道？其夹断电压VP和饱和漏极电流IDSS各为多少？ 解： 对N沟道： vGS 0， vDS 0， iD 0 （电流参考方向以流入FET为正） 对P沟道： vGS 0， vDS 0， iD 0 所以，它是P沟道的JFET， 其夹断电压VP = 4V，饱和漏极电流IDSS = -3mA。 VP 0； VP 0； 5.2 金属－氧化物－半导体场效应管（MOSFET） 分类：按沟道：NMOS和PMOS管 按工作方式：增强型（vGS = 0时, 无导电沟道，iD = 0） 耗尽型（vGS = 0时，存在导电沟道，iD ? 0） 5.2.1 N沟道增强型MOSFET 1．结构与符号 2．工作原理 1）vGS对iD的控制作用： d、S间无导电沟道， iD ? 0，相当于截止状态。 ② vGS 0： a）当vGS 较小时，不能形成导电沟 道，FET仍处于截止状态。 b）当vGS 增加到某一值时, 刚开始形成导电沟道时的栅源极电压称为开启电压VT。 ① vGS = 0 ： c）当vGS 再增加，沟道加宽，沟道电阻减小。 在漏源极间形成N型导电沟道。 2）vDS对iD的影响： ① 预夹断