第14讲--线性等效电路—大纲.PDFVIP

6.012-微电子器件与电路 第14讲--线性等效电路—大纲 ● 通告 下发资料-课程大纲和摘要 ● 复习-在大信号模型上增加精度 电荷存储:耗尽区,过剩载流子,门负荷 工作长度（有效长度）调整:早期效应 外在寄生效应:导线电阻,电容和电感 ● 小信号模型 它们对什么有益呢? ● 线性等效电路 pn二极管:线性化指数二极管 电荷存储合并 BJTs: 线性化Ebers-Moll模型 合并电荷存储 增加早期效应和可能的寄生效应 MOSFETs: 线性缓变沟道模型 电荷存储合并 增加早期效应和可能的寄生效应 Clif Fonsad,10/03 第14讲-第一页 电路符号: BJT: npn pnp pnp 在电路中作为 频率定位 MOSFET: 线性 数字 线性 数字 n-通道 p-通道（通常用于电路定位） Clif Fonsad,10/03 第14讲-第二页 输出特性: BJT：npn Clif Fonsad,10/03 第14讲-第三页 ● 制造一个线性等效电路,LEC: 假设我们拥有一个带有X,Y,Z三个端子 的器件,并且我们根据 和 的电压值 得到流入X,Y端子的电流表达式: 假设我们也知道与X端和Y端相连的电荷存储量的表达示: 我们首先为了端子特性而制作一个静态模型并且在一个偏移点Q附近线性化这些端子特性,把它定义为特殊的 一套使用我们定义的符号和我们所表达的XZ的端电压的和YZ端电压的器件. 例如,对于流入X端的电流表达式,我们有: 对于充分小的 (v -V ) 和 (v -V ), 我们得到: xz XZ yz YZ Clif Fonsad,10/03 第14讲-第四页 ● 制作一个线性等效电路,LEC,内容: 利用我们的符号,我们认为: 我们把偏导数看成电导并且把它们命名为: 把这些带入我们以前得到的结果,首先得到: 最后得到: 对于i可以用相同的方法,我们得到: y 这里: Clif Fonsad,10/03 下一页继续 第14讲-第五页 ● 制作一个线性等效电路,LFC,内容: 一个反映新增电流和电压的关系的电路如下所示: 接下来,为了处理高频信号,我们线性化电荷存储量对电压的相关性。它们的LECs,这是线性电容: 添加这些元素到给我们的模型中得到: Clif Fonsad,10/03 下一页继续 第14讲-第六页 ● 对于p-n结二极管的线性等效电路(LEC): 我们从端子特性的静态模型开始: 在V 附近线性化i ,这样我们将用Q表示(静态工作点): AB D 我们定义二极管的等效增量电导g为: d 我们使用我们的符号得到: 结束: 相应的LEC电路如右边所示: Clif Fonsad,10/03