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電漿表面改質及摻雜對 LPCVD氧化鋅膜效應之研究 電漿表面改質及摻雜對 LPCVD氧化鋅膜效應之研究 張宇能 1 賴志瑋 2 龍華科技大學 龍華科技大學 化工與材料工程系 工程技術研究所 摘要 本研究以水平熱牆低壓化學氣相沉積(LPCVD)技術，製作 ZnO 鍍層，先後用電漿表 面改質及鎂摻雜，提升特性比較。首先將鍍好氧化鋅膜加以電漿表面改質，再使用螢光 光譜(PL)分析比較改質前後光電特性之差異，發現當 CVD條件在高氮氣氛下 (75%) ，蒸 0 0 發溫度 120 C,沉積溫度 600 C ，操作壓力200torr ，通入