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第二十六讲长的金属－氧化物－半导体场效应晶体管续讨论会
2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo
第二十六讲 “长的”金属－氧化物－半导体场效应 体管 （续）
11 4 2002
月 ，
内容：
1. 反型层传输（续）
2. 理想MOSFET 的电流电压特性
阅读作业
del Alamo Ch. 9，§9.2
通知：
2 11 Rm. 50 340 Walker 7 30 9 30PM 13 24 6 8 MOS
测验 ： 月 ， － （ ）， ： － ： ；第 － 内容（或 － 章包括三端 结构）。开卷。带计算器。
讨论会：
11 W. Gass TI Rm. 34 101 4
月 － （ ）：数字信号处理：过去，现在和将来。 － ，下午 点。
2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo
主要问题
一个MOSFET最重要的工作区是什么？
在栅压和漏压下，MOSFET 的漏电流的主要性能依赖是什么？
为什么在有些条件下漏电流会饱和？
2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo
1. 反型层传输 （续）
漂移与扩散的相对比较：
或
两种情况：
kT
V − V ( y ) − V ?
强反型： G th ，漂移相对于扩散占优势。
q
2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo
kT
V − V ( y ) − V ;
接近开启： G th ，扩散是主要的
q
扩散在夹断点和压阈区是主要的。
[ ]
□ 检测假定 详细参见笔记 ：
缓变沟道近似
大致意思是横向电场比纵向电场要小很多。
V V − V ( y ) − V ; 0
除了在 th 附近都满足，这里 G th
片电荷近似
n ( x , y ) x ε ( x , y )
随 的变化必须比 快很多，或：
等于 （参见笔记）：
2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件
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