[工学]ch3半导体二极管及其基本电路.pptVIP

例、电路如图示，电源vs为正弦波电压，试绘出负载RL两端的电压波形，设二极管是理想的。 P58 P59 N型半导体是在本征半导体的基础上掺入微量的五价杂质元素得到的。强调“微量”：掺入微量的五价杂质原子后，并没有改变原半导体的晶体结构，五价杂质原子要与周围大量的四价硅原子构成4对共价键，用到四个价电子，而多余的一个价电子因无共价键束缚而很容易挣脱原子核的束缚成为自由电子。每掺入一个五价杂质原子，就引入一个自由电子，故在N型半导体中自由电子是多数载流子，它主要由杂质原子提供；空穴是少数载流子, 由热激发形成。 P58 P型半导体是在本征半导体的基础上掺入微量的三价杂质元素得到的。强调“微量”：掺入微量的三价杂质原子后，并没有改变原半导体的晶体结构，三价杂质原子要与周围大量的四价硅原子构成4对共价键，其中的一个共价键因为缺少一个价电子而留下一个空穴，。每掺入一个三价杂质原子，就引入一个空穴，故在P型半导体中空穴是多数载流子，它主要由掺杂形成；自由电子是少数载流子， 由热激发形成。 P60 PN结：在讲解PN结之前，先讲两个基本的概念，载流子的漂移与扩散。 漂移运动有两个：正电荷的顺电场运动（孔穴），负电荷的逆电场运动（自由电子）。 扩散运动：金桂飘香（浓度高的地方往浓度低的地方扩散）。 P61PN结的形成：在一块硅本征半导体的两侧分别掺入三价和五价杂质元素，得到P型半导体（杂质原子表示：孔穴用小圆圈表示；杂质离子用带圈的负号表示。少数载流子自由电子用黑色的实心点去表示）和N型半导体（杂质原子表示：多数载流子自由电子用黑色的实心点去表示；杂质离子用带圈的正号表示。少数载流子孔穴用小圆圈表示） ，简称P区和N区。 P区和N区结合在一起会出现什么现象呢？首先由于浓度差，双方的多数载流子要往对方做扩散运动，留下不能移动的杂质离子区，即正负空间电荷区，即PN结→耗尽区（内部无载流子）。 P62正负空间电荷区：由于正、负离子相互作用，形成内建电场，方向由正电荷指向负电荷，即N区指向P区。 内建电场的作用：阻碍多数载流子的扩散运动，有利于少数载流子的漂移运动（少子中和部分杂质离子，即补充部分杂质离子丢失的孔穴和电子，杂质离子变杂质原子， PN结变窄，削弱内建电场，又有利于多子的扩散运动） P63加正向电压形成的外加电场削弱了内建电场，有利于多子的扩散运动（多子浓度高，在PN结内形成一个大的正向扩散电流， PN结导通）；外加电场削弱了内建电场， PN结变窄， PN结上的电阻变小（阻值与长度成正比）。 P64加反向电压形成的外加电场增强了内建电场，有利于少子的漂移运动（少子浓度低，在PN结内形成一个较小的反向漂移电流， PN结截止）；外加电场增强了内建电场， PN结变宽， PN结上的电阻变大（阻值与长度成正比）。 P65 P65 说明n用1来代 从PN结V-I 特性表达式反过来说明PN结的伏安特性：单向导电性。 正向：vD/VT是几十倍的关系。iD与vD之间成指数关系； 反向： vD/VT是几十倍的关系，但有负号，倒数以后，几乎为0， iD=-IS，反向饱和电流与反向电压没有关系。 P66发生反向击穿的所需的反向电压VBR称为反向击穿电压。 雪崩击穿：反向电压形成的外加电场增强了内建电场，而当反向电压大于比较大的反向击穿电压VBR时，意味着内建电场被增强得更强，此时内建电场是一个强电场，在强电场作用下，处于 PN结内的少数载流子获得足够的动能，有了较大的速度，它要去撞击晶体原子的共价键，撞击出自由电子，形成自由电子孔穴对，新产生的自由电子孔穴对与原自由电子、孔穴一样，在强电场作用下获得大的速度，它也要去撞击晶体原子的共价键，这样载流子的数目就会1变2，2变4，4变8，形成倍增效应，这种载流子的倍增效应就好象是积雪山坡发生雪崩一样，载流子增加较快，反向电流较大， PN结被反向击穿，这种现象称其为雪崩击穿。(足球小子,小翼,速度快,带球突破;速度快,碰撞,带共价键中的价电子突破) 齐纳击穿：电场E的电场作用，不仅要对可移动的载流子起作用，而且对共价键内的束缚电子也有作用，当反向电压很高，大于反向击穿电压VBR ，内建电场较强，较强的内建电场克服共价键的作用，剥离出共价键中的价电子，形成自由电子孔穴对，从而使共价键内载流子数目增加，反向电流较大， PN结被反向击穿，这种现象称其为齐纳击穿。(电吹风,使水脱离头发) 雪崩击穿(为主)和齐纳击穿是电击穿，一般是可逆的，只要反向电压与反向电流的乘积不超过PN结容许的耗散功率即，即反向电压拿掉，可以恢复原状态。 当反向电压与反向电流的乘积超过PN结容许的耗散功率， PN结发生热击穿， PN结坏了。 热击穿应尽量避免，而电击穿可以利用，如稳压管。 P67、68PN结加正向电压形成的外加电场削