[工学]微机原理与接口 第6章_存储器RAM及ROM.pptVIP

第6章 半导体存储器 主要内容: 存储器及半导体存储器的分类 随机读写存储器（RAM） 只读存储器（ROM） 存储器的扩展 6.1 存储器及半导体存储器的分类 存储器是计算机用来存储信息的部件。 6.1.1 存储器的分类 按存取速度和用途可把存储器分为两大类：内存储器和外存储器。 内存：把通过系统总线直接与CPU相连的存储器称为内存储器，简称内存。 特点：具有一定容量、存取速度快，且掉电数据将丢失。 作用：计算机要执行的程序和要处理的数据等都必须事先调入内存后方可被CPU读取并执行。 * 第6章 半导体存储器 外存：把通过接口电路与系统相连的存储器称为外存储器，简称外存，如硬盘、软盘和光盘等。 特点：存储容量大而存取速度较慢，且掉电数据不丢失。 作用：外存用来存放当前暂不被CPU处理的程序或数据，以及一些需要永久性保存的信息。 通常将外存归入计算机外部设备，外存中存放的信息必须调入内存后才能被CPU使用。 早期的内存使用磁芯。随着大规模集成电路的发展，半导体存储器集成度大大提高，成本迅速下降，存取速度大大加快，所以在微型计算机中，目前内存一般都使用半导体存储器。 寄存器 Cache 主存储器 辅助存储器(磁盘) 大容量存储器(磁带) 外存储器 内存储器 存储系统的层次结构 外存平均访问时间ms级 硬盘9~10ms 光盘80~120ms 内存平均访问时间ns级 SRAM Cache1~5ns SDRAM内存7~15ns EDO内存60~80ns EPROM存储器100~400ns 6.1.2 半导体存储器的分类 从应用角度可将半导体存储器分为两大类：随机存取存储器RAM(Random Access Memory)和只读存储器ROM(Read Only Memory)。 RAM是可读、可写的存储器，CPU可以对RAM的内容随机地读写访问，RAM中的信息断电后即丢失。 ROM的内容只能随机读出而不能写入，断电后信息不会丢失，常用来存放不需要改变的信息(如某些系统程序)，信息一旦写入就固定不变了。 根据制造工艺的不同，随机读写存储器RAM主要有双极型和MOS型两类。 双极型存储器存取速度快、集成度较低、功耗较大、成本较高等特点，适用于对速度要求较高的高速缓冲存储器,低阻抗、电流控制的器件 ； MOS型存储器具有集成度高、功耗低、价格便宜等特点，适用于内存储器，高输入阻抗、电压控制的器件 。 MOS型存储器按信息存放方式又可分为静态RAM(Static RAM，简称SRAM)和动态RAM(Dynamic RAM，简称DRAM)。 只读存储器ROM在使用过程中，只能读出存储的信息而不能用通常的方法将信息写入存储器。目前常见的有： 掩膜式ROM，用户不可对其编程，其内容已由厂家设定好，不能更改； 可编程ROM(Programmable ROM，简称PROM)，用户只能对其进行一次编程，写入后不能更改； 可擦除的PROM(Erasable PROM，简称EPROM)，其内容可用紫外线擦除，用户可对其进行多次编程； 电擦除的PROM(Electrically Erasable PROM，简称EEPROM或E2PROM)，能以字节为单位擦除和改写。 静态RAM 动态RAM MOS型 双极型 不可编程掩膜 存储器 MROM 可编程存储器 PROM 可擦除、可再 编程存储器 紫外线擦除的 EPROM 电擦除的 E 2 PROM 随机读写 存储器RAM 只读存储器 ROM 半导体 存储器 图6.1 半导体存储器的分类 6.1.3 半导体存储器的主要技术指标 1．存储容量 (1) 用字数?位数表示，以位为单位。常用来表示存储芯片的容量，如1K?4位，表示该芯片有1K个单元(1K=1024)，每个存储单元的长度为4位。 (2) 用字节数表示，以字节为单位，如128B，表示该芯片有 128个单元，每个存储单元的长度为8位。 其中，1KB＝210B＝1024B；1MB＝220B＝1024KB；1GB＝230B＝l024MB；1TB＝240B＝1024GB。显然，存储容量越大，所能存储的信息越多，计算机系统的功能便越强。 2．存取时间 存取时间是指从启动一次存储器操作到完成该操作所经历的时间。例如，读出时间是指从CPU向存储器发出有效地址和读命令开始，直到将被选单元的内容读出为止所用的时间。显然，存取时间越小，存取速度越快。 3．存储周期 连续启动两次独立的存储器操作(如连续两次读操作)所需要的最短间隔时间称为存储周期。它是衡量主存储器工作速度的重要指标。一般情况下，存储周期略大于存取时间。 4．功耗 功耗反映了存储器耗电的多少，同时也反映了其发热的程度。