[工学]磁电、磁敏式传感器.ppt

6.1 磁电感应式传感器（电动式） 6.2 霍尔式传感器 6.3 磁敏元件 一、磁电感应式传感器概述 四、磁电感应式传感器测量电路 测量电路-位移 测量电路—加速度 五、磁电感应式传感器的应用 二、霍尔元件的结构与特性 二、霍尔元件的结构与特性 五、集成霍尔传感器 铁心 练 习 题 1.霍尔效应是导体中的载流子在磁场中受 作用产生 的结果。 2.半导体材料中的 比金属的小得多，因而霍尔常数大，加上半导体中电子的 比空穴大，故霍尔元件多采用 材料制成。 3. 减少霍尔元件温度误差的电路措施有：(1)采用 提供控制电流；(2)合理选择 。 (3) 。 9. 霍尔效应中，霍尔电动势与（ ） A. 激磁电流成正比 B. 激磁电流成反比 C. 磁感应强度成正比 D.磁感应强度成反比 一、磁敏电阻元件 （3）磁灵敏度 磁敏二极管的磁灵敏度有三种定义方法。 1）在恒流条件下,偏压随磁场变化,电压相对磁灵敏度SU为 式中：U0是磁场强度为零时,磁敏二极管两端的电压；UB是磁场强度为B时,磁敏二极管两端的电压。SU的测量电路如图所示。 2） 在恒压条件下,偏流随磁场变化,电流相对磁灵敏度SI为  式中：I0是给定偏压下,磁场为零时,通过磁敏二极管的电流；IB是给定偏压下,磁场为B时,通过磁敏二极管的电流。SI的测量电路如图所示。 （3） 按照标准测试,在给定电源E和负载电阻R的条件下,电压相对磁灵敏度和电流相对磁灵敏度被定义为  式中：U0、I0是磁场为零时,磁敏二极管两端的电压和流过的电流；UB、IB是磁场为B时,磁敏二极管两端的电压和通过的电流。 测定SRU和SRI的电路如图所示。 1. 磁敏二极管（SMD）结构 磁敏二极管在 P，N 之间有一个较长（载流子扩散长度的5倍以上）的本征区 I，本征区 I 的一面磨成光滑的复合表面（为 I 区），另一面用喷砂法打毛，形成高复合区（为 r 区），其目的是因为电子－空穴对易于在粗糙表面复合而消失。当通以正向电流后就会在 P+–I–N+结之间形成电流。由此可知，磁敏二极管是 PIN 型的。。 二、磁敏二极管 2. 磁敏二极管的工作原理 当磁敏二极管未受到外界磁场作用时，外加正偏压，如图（b）所示，则有大量的空穴从 P 区通过 I 区进入 N 区，同时应有大量电子注入 P 区，形成电流。只有少量电子和空穴在 I 区和 r 区复合掉。 当磁敏二极管受到外界磁场 B+（正向磁场）作用时，如图 （c）所示，则电子和空穴受到洛仑兹力的作用而向 r 区偏转，由于 r 区的电子和空穴复合速度比光滑面 I 区快，因此，形成的电流因复合速度快而减小。 当磁敏二极管受到外界磁场 B－ （反向磁场）作用时，如图（d）所示，电子、空穴受到洛仑兹力作用而向 I 区偏移，由于电子、空穴复合率明显变小，则电流变大。 磁敏二极管加正向偏压 ，在磁场强度的变化下，其正向电流发生变化，实现了磁电转换。正磁场越强，电流越小，表示磁阻增加；负磁场越强，电流越大，表示磁阻减小。 （1）伏安特性 磁敏二极管正向偏压和通过其上电流的关系被称为磁敏二极管的伏安特性。 磁敏二极管在不同磁场强度B的作用下，伏安特性不一样。图（a）为锗磁敏二极管的伏安特性。图（b）、（c）为硅磁敏二极管的伏安特性。 3. 磁敏二极管的主要特性 （a）锗管 （b）硅管，俘获中心作用强 （c）硅管，俘获中心作用弱 （2）磁电特性 在给定条件下，磁敏二极管输出的电压变化与外加磁场的关系称为磁敏二极管的磁电特性。 磁敏二极管通常有单只使用和互补使用两种方式。它们的磁电特性如图所示。单只使用时，正向磁灵敏度大于反向，磁场强度增加时，曲线有饱和趋势；互补使用时，正、反向磁灵敏度曲线对称，且在弱磁场下有较好的线性。 图 电压相对磁灵敏度测量电路 图 电流相对磁灵敏度测量电路 图 标准测试方法电路原理图 4. 霍尔加速度传感器 霍尔式加速度传感器 上下方向的加速度 成比例的惯性力 梁发生弯曲变形 自由端产生与加速度成比例的位移 霍尔元件输出与加速度成比例的霍尔电势UH。 5. 霍尔电流传感器（霍尔传感器测电流） 霍尔传感器广泛用于测量电流，从而可以制成电流过载检测器或过