超高亮LED的应用.docVIP

超高亮LED的应用 fPe S; ? 一、引言 M0 z%_} ?{4_s:+v0 ?LED已有近30年的发展历程。20世纪70年代，最早的GaP、GaAsP同质结红、黄、绿色低发光效率的LED已开 始应用于指示灯、数字和文字显示。从此，LED开始进入多种应用领域，包括宇航、飞机、汽车、工业应用、通信、消费类产品等，遍及国民经济各个部门和千家 万户。到1996年，LED在全世界的销售额已达到几十亿美元。尽管多年以来LED一直受到颜色和发光效率的限制，但是由于GaP和GaAsPLED具有 寿命长、可*性高、工作电流小、可与TTL、CMOS数字电路兼容等许多优点，因而一直受到使用者的青睐。 [?Ksit ?- 2)k!5X= ?最近十年，高亮度化、全色 化一直是LED材料和器件工艺技术研究的前沿课题。超高亮度（UHB）是指发光强度达到或超过100mcd的LED，又称坎德拉（cd）级LED。高亮度 A1GaInP和InGaNLED的研制进展得十分迅速，现已达到常规材料GaA1As、GaAsP、GaP不可能达到的性能水平。1991年，日本东芝 公司和美国HP公司研制成InGaAlP620nm橙色超高亮度LED，1992年，InGaAlP590nm黄色超高亮度LED达到实用化。同年，东芝 公司研制的InGaA1P573nm黄绿色超高亮度LED的法向光强达2cd。1994年，日本日亚公司研制成InGaN450nm蓝（绿）色超高亮度 LED。至此，彩色显示所需的三基色红、绿、蓝以及橙、黄多种颜色的LED都达到了坎德拉级的发光强度，实现了超高亮度化、全色化，使发光管的户外全色显 示成为现实。 .7Mf(1: ?gvP-doA7W ?我国发展LED起步于20世纪70年代，80年代形成产业。全国约有100多家企业，95％的厂家都从事后道封装生产， 所需管芯几乎全部从海外进口。通过几个五年计划的技术改造、技术攻关、引进国外先进设备和部分关键技术，使我国LED的生产技术已向前跨进了一步。北 京、长春、南昌、上海、山东、河北等地的一些厂家，现已具有GaAs和GaP单晶、外延片、芯片的批量生产能力。由南昌746厂组建的欣磊光电公司的普亮 LED芯片生产线，1998年生产出管芯7亿只，1999年超过10亿只。信息产业部电子第13研究所下属的河北汇有电力电子公司和河北立德电子公司已分 别建成InGaA1P超高亮度LED外延片和芯片生产线，1999年年底达到年产外延片1万片、芯片1亿只的生产能力，从而改变了我国超高亮度LED外延 片、芯片全部从海外进口的局面。 fcq8aW/z _ ?aRTy=~ ?本文将对超高亮度InGaA1PLED和InGaNLED在汽车指示灯、交通信号灯、大屏幕显示、液晶显示（LCD）的背光照明等中的应用情况做一简要介绍。 4,y7a=qf3 ?/8; m.Jbf ?二、超高亮度LED的结构及性能 py;p7y!gxA ?{aAd (~YZ ?超 高亮度红A1GaAsLED与GaAsPGaPLED相比，具有更高的发光效率，透明衬底（TS）A1GaAsLED（640nm）的流明效率已接近 10lm/W，比红色GaAsPGaPLED大10倍。超高亮度InGaAlPLED提供的颜色与GaAsPGaPLED相同，包括绿黄色 （560nm）、浅绿黄色（570nm）、黄色（585nm）、浅黄（590nm）、橙色（605nm）、浅红（625nm）、深红（640nm）。 InGaAlPLED吸收衬底（AS）的流明效率为101m/W，透明衬底（TS）为201m/W，在590nm～626nm的波长范围内比 GaAsPGaPLED的流明效率要高10倍～20倍；在560nm～570nm的波长范围内比GaAsPGaPLED高出2倍～4倍。超高亮度 InGaNLED提供了蓝色光和绿色光，其波长范围：蓝色为450nm～480nm，蓝绿色为500nm，绿色为520nm；其流明效率为 3m/W～151m/W。超高亮度LED目前的流明效率已超过带滤光片的白炽灯，可以取代功率1W以内的壮愕疲矣肔ED阵列可以取代功率在150W以 内的白炽灯。对于许多应用，白炽灯都是采用滤光片来得到红色、橙色、绿色和蓝色，而用超高亮度LED则可得到相同的颜色。近年，用AlGaInP材料和 InGaN材料制造的超高亮度LED将多个（红、蓝、绿）超高亮度LED芯片组合在一起，不用滤光片也能得到各种颜色，包括红、橙、黄、绿、蓝，目前其发 光效率均已超过白炽灯，正向荧光灯接近。发光亮度已高于1000mcd，可满足室外全天候、全色显示的需要，用LED彩色大屏幕可以表现天空和海洋，实现 三维动画。新一代红、绿、