[化学]第02章 逻辑门电路.pdf

第2章逻辑门电路 第2章逻辑门电路 本章从三种最基本的与、或、非门电路出发，分 析其实现相应逻辑运算的工作原理；重点讲述TTL与 非门的工作原理、外特性及主要参数等；简要介绍 CMOS逻辑门电路的电路结构和工作原理。 最简单的与、或、非门电路 TTL与非门电路 CMOS 门电路 逻辑门电路使用中的几个实际问题 2.1 最简单的与、或、非门电路 2.1 最简单的与、或、非门电路 最简单的与、或、非门电路可由二极管和电 阻或者三极管与电阻组成，二极管、三极 管在电路中的作用类似于可控开关。 数字信号频率很高，要求电子器件的导通与 截止两种状态之间的转换要在微秒甚至在 纳秒数量级的时间内完成。 在讨论门电路之前，首先应了解二极管、三 极管的开关特性。 7/25/2009 第2章 逻辑门电路 2/73 2.1.1 二极管的开关特性 2.1.1 二极管的开关特性 由于二极管具有单向导电性，即外加正向电 压时导通，外加反向电压时截止，所以二 极管相当于是一个受外加电压极性控制的 开关。 讨论二极管的开关特性就是分析其导通和截 至之间的转换问题 导通 截止 7/25/2009 第2章 逻辑门电路 3/73 晶体二极管的开关特性 晶体二极管的开关特性 PN结具有单向导电性 7/25/2009 第2章 逻辑门电路 4/73 1）实验现象 1）实验现象 i D u ui RL td ：开通时间 （正向导通时间） t ：存储时间 s t ：渡越时间 t t = t ＋t ：反向恢复时间 re s t 7/25/2009 第2章 逻辑门电路 5/73 产生反向恢复时间的原因: 电荷存贮效应 产生反向恢复时间的原因: 电荷存贮效应 P N P区中电子 N区中空穴 浓度分布 浓度分布 电源反向 P N 7/25/2009 第2章 逻辑门电路 6/73 2.1.2 晶体三极管的开关特性 2.1.2 晶体三极管的开关特性 +UCC RC uO ui Rb t ：延迟时间 d t ：上升时间 r t ：存储时间 s tf ：下降时间 t = t ＋t ：开通时间 t = t ＋t ：关闭时间 on d r off s f 7/25/2009 第2章 逻辑门电路