何谓微波带.pdf

‧何謂微波帶 頻率：0.1 GHz~3000GHz 波長：300cm ~ 0.01 cm VHF, UHF, L band, S band, C band, X band Ku band, K band, Ka band, Millimeter , Submillimeter 應用: • 行動電話 • GPS • 天候雷達偵測 • 衛星通訊 • 無線區域網路 • 無線電波天文學 • 晴空亂流 • 紅外線: 近紅外線:CD player 中紅外線:4~6 um and 8~12um 遠紅外線: • 可見光:4000A~7500A 三原色:R(red), G(green), B(blue) 光源 全彩化及白光化 • 紫外線: exposure source 及臭氧層 • X-ray:疾病診斷，原子的世界 ‧Microwave devices : 1. Mixer: Tunnel diode,IMPATT diode, Transferred-electron device, quantum-effect device (RTD) 2. Active devices: filter, amplifier, PLL, VCO, HBT, MesFET, HEMT 3. Receiver and transmitter ‧Optoelectronic devices: 1. absorption: photodetector, solar cells, Avanlanche diode 2. Emission: LED (light-emitted diode) LD (laser diode), DFB laser 微波光電半導體材料: • Si • Si-Ge Si technology (不能放光) • Compound semiconductor: GaAs-AlGaAs, InGaAs-AlInAs-InP, AlInGaP-AlGaAsP-InGaAsP GaN-AlN, ZnSe-ZnTe, InSb, InAs HgMnTe-MnCdTe 為何使用化合物半導體 • μ(GaAs)=3~5 μ(Si) μ(InGaAs)=5~7 μ(Si) Mobility:遷移率 μ=q τ/m* • Overshooting velocity Vp(GaAs)=~1.5Vp(Si) Vp(InGaAs)=~2.5Vp(Si) • Semi-insulating substrate(半絕緣基板) (1) ni 下降(減少漏流) (2) E 可定在 bandgap 中間(n=p= n ) F i 相當於絕緣 Eg(GaAs)=1.42 eV(室溫) Eg(Si)=1.12 eV(室溫) • MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuit ) 因可絕緣,所以Microstripe line(微條天線)可 直接做在半導體面上 • 耐高壓特性較好(因Eg 大)且功率較大 與breakdown 電壓有關 • Direct bandgap:可發光之元件 • OEIC (Opto-Electronic Integrated Circuit) 電子元件及發光元件或吸光元件和波導可 做在一起 • 抗輻射性:適合太空環境 • 異質介面:AlGaAs/GaAs and InGaAs/AlInAs/InP • 量子效應元件: energy barrier effect Quan