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西安理工大学 微电子学硕士课程 MOS晶体管 导通电阻是一个非线性电阻，与器件的工作状态有关,平均电阻一般取0.75R0 在非饱和区，导通电阻近似为线性电阻 即Ron=1/gm 导通电阻反比于（W/L)，W每增加一倍，电阻减小一半 D S G 电流IDS 作业： 1.请画出晶体管的ID-VDS特性曲线，指出饱和区和非饱和区的工作条件及各自的电流方程（忽略沟道长度调制效应和短沟道效应）。 2.写出考虑沟道调制效应时饱和区电流方程式。 * * 半导体 集成电路 MOSFET晶体管 本节课主要内容 器件结构 电流方程 电流电压特性 衬底偏压效应 短沟道效应 MOSFET的电容 MOSFET的导通电阻 MOSFET MOS晶体管的动作 MOS晶体管实质上是一种使 电流时而流过，时而切断的开关 n+ n+ p型硅基板 栅极 绝缘层（SiO2） 半 导 体 基 板 漏极 源极 N沟MOS晶体管的基本结构 MOS晶体管的符号 源极(S) 漏极(D) 栅极(G) 源极(S) 漏极(D) 栅极(G) VD ID 非饱和区 饱和区 VG NMOS PMOS 源极(S) 漏极(D) 栅极(G) (a) (b) NMOS PMOS 源极(S) 漏极(D) 栅极(G) 非饱和区的电流方程 饱和区的电流方程 MOS晶体管 L’ 沟道长度调制效应 VDS ID 非饱和区 饱和区 VDSsat=VGS-VTH n+ n+ p型硅基板 G S D 非饱和区的电流方程: 饱和区的电流方程: ID (0VDSVGS-VTH) (0 VGS-VTH VDS) VDS ID 非饱和区 饱和区 VDSsat=VGS-VTH 漏极 栅极 源极 SiO2 W L mnCoxW L mn ：为Si中电子的迁移率 Cox : 为栅极单位电容量 W : 为沟道宽 L : 为沟道长 Cox Cox=eox/tOX 常令 Kn’＝mnCox , Kp’＝mpCox 导电因子 VTH 影响MOS晶体管特性的几个重要参数 MOS晶体管的宽长比（W/L) MOS晶体管的开启电压VTH 栅极氧化膜的厚度tox 沟道的掺杂浓度（NA) 衬底偏压（VBS) VTH VTH NMOS的IDS-VDS特性（沟道长1mm) 饱和区 非饱和区 1.0V 1.5V 2.0V 2.5V IDS VDS VGS PMOS的IDS-VDS特性（沟道长1mm) MOS管的电流解析方程（L〉1mm) 工艺参数 ID (0VDSVGS-VTH) (0 VGS-VTH VDS) 沟道长度调制系数 VTH 阈值电压 源极(S) 漏极(D) 栅极(G) VG VD ID nMOS晶体管的I-V特性 VTH ID VG 增强型（E) VTH ID VG 耗尽型(D) VTH VTH ID VG ID VG 增强型（E) 耗尽型(D) NMOS的ID-VG特性(转移特性） VGS=0 阈值电压的定义 饱和区外插VTH 在晶体管的漏源极加上接近电源VDD的电压，画出VGS-IDS的关系曲线，找出该曲线的最大斜率，此斜率与X轴的交点定义为阈值电压。 以漏电流为依据定义VTH 在晶体管的漏源极加上接近电源VDD的电压，画出VGS-Log(IDS)的关系曲线，从该曲线中找出电流为1微安时所对应的VGS定义为阈值电压。 MOS晶体管 MOS管的跨导gm（饱和区） 表征电压转换电流的能力 衬底偏压效应 通常衬底偏压VBS=0, 即NMOS的衬底和源都接地， PMOS衬底和源都接电源。 衬底偏压VBS0时，阈值电压增大。 MOS晶体管 VBS(V) MOS管短沟道效应 IDS 正比于 W/L, L要尽可能小 当沟道长度变短到可以与源漏的耗尽层宽度相比拟时，发生短沟道效应。 栅下耗尽区电荷不再完全受栅控制，其中有一部分受源、漏控制，并且随着沟道长度的减小，受栅控制的耗尽区电荷不断减少，因此，只需要较少的栅电荷就可以达到反型，使阈值电压降低 MOS晶体管 载流子的饱和速度引起的 早期饱和 微小MOS晶体管 沟道长小于1微米时，NMOS饱和 NMOS和PMOS的饱和速度基本相同 PMOS不显著 饱和早期开始 短沟道MOS晶体管电流解析式 微小MOS晶体管 微小MOS晶体管的静态特性(沟道长小于1mm) 微小MOS晶体管 NMOS 当VDSAT=1V,速度饱和 PMOS 迁移率是NMOS的一半 一般没有速度饱和 MOSFET的电容 Gate Cg Cgd Cgs Cj Cj Cd SUB G S D RS CGS CGD