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脈衝調變 RF 電漿對氫化非晶矽太陽能電池本質 層薄膜的價態與穩定性之影響 Influence of modulated RF silane plasma on the gap states and stability of the intrinsic layer of a-Si:H Solar Cell 研究生 ：施智仁（Jhih-Ren Shih ） 指導教授 ：楊木榮 (Prof. Mu-Rong Yang) 大同大學 材料工程研究所 碩士論文 Thesis for Master of Science Department of Materials Engineering Tatung University 中華民國九十六年六月 June 2007 II III 致謝 感謝楊木榮老師讓我有機會參與有關太陽能電池的研究與江雨龍老師的協 助，讓學生得以在一個良好的研究環境下學習 ，在實驗的過程中雖然遇到許多難 題，但是大家的幫助與鼓勵和互相合作 ，讓我感覺到再這個團體裡我並不是孤單 的一個人 ，讓我有勇氣去面對與解決困難，能與大家一起研究討論，受益良多。 謝謝郭泰照學長的幫助 ，讓我能快速融入一個新的環境並順利完成學業。 IV 摘要 氫化非晶矽(a-Si:H) 薄膜為一短程有序的結構 ，被應用於半導体和薄膜太陽 電池 ，具有製程簡單、成本低廉等特性，然而由於結構缺陷較多，非晶矽太陽能 電池轉換效率較低於結晶矽太陽能電池。如何有效改善轉換效率成為當前重要的 研究議題 。 本實驗利用化學氣相沉積法(PECVD)在 200 ℃下分別於康寧 1737F 玻璃 、 矽晶片與片電阻＜15 Ω 的ITO 玻璃基板上製備本質層薄膜與太陽電池 ，太陽電 池結構為 glass/ITO/piin/Al 。本實驗主要討論改變製程參數(脈波調變頻率)對氫 化非晶矽本質層薄膜及太陽電池的電性及光學性質之影響。所製得之本質層薄膜 以 RAMAN、FTIR 、AFM 、SE 、UV-VIS、I-V 等量測分析其性質 。對本質層薄 膜的研究結果顯示 ，藉由改變脈波調變頻率可有效減少薄膜中的氫氣總含量，減 少 SiH2 鍵結的生成 ，改善微結構變數，提升光電流與光暗電導比。由於本質層 薄膜品質的改善，太陽電池的短路電流提高，轉換效率提升，且其理想因子(Ideal Factor)值較低 ，為一較理想的二極體元件。 V Abstract Amorphous silicon (a-Si) thin film with a short range order has been extensively used in semiconductors and thin film solar cells owing to its simple manipulation processes and low cost. However, the transition efficiency of the amorphous silicon solar cell is much lower than the crystalline silicon solar cell due to the much higher structure defects. It has been an import