材料学中常用的分析方法第四讲-RBS有关金属材料的分析手段教学教材演示幻灯片.pptVIP

材料学中常用的分析方法Instrumental Analysis in Materials Science;第四讲;问题：;RBS的实验装置 —— 需要小型加速器;RBS效应 20世纪初，Marsden 发现，大多数的?- 粒子可以穿透 Au 薄膜，而少数粒子则向着各个方向被散射。 在此基础上，Rutherford 提出了原子的核模型：?- 粒子被散射的过程就象大量的小球发生了弹性碰撞。;高能离子与物质的弹性碰撞;RBS实验装置的示意图; RBS谱仪 RBS谱仪有3个主要部分： 离子源、加速器、探测器 常用的加速器为二级式的加速器: 它可先将He-离子加速至750 keV，再将其转变为He+2并加速750kV至2.25MeV。;He- 离子源 为产生He-离子需使用二级离子源。第一级常规离子源产生He+离子。第二级使He+ 通过碱性金属（如Rb）的蒸气使He+ 转变为He- 。后者被20kV的偏压引出离子源。;电子剥离装置（electron stripper） 750 keV 的He-离子掠过其他粒子时，会有丢掉电子的几率。使He-离子束穿过1-10 mTorr 的 N2气室（或固体薄膜），可产生He+2 离子。;RBS 方法是高能离子的弹性碰撞过程，而对高能离子弹性散射的描述需要了解三个问题;1. 离子散射过程前后的能量关系;RBS 的运动学因子;运动学因子 K 随 M1, M2 的变化 ——为什么多选用4He2-;运动学因子 K 随角度 ? 的变化 ——为什么多选用?=170?;2. 离子被物质散射的几率 —— 散射截面 ? 的物理意义 ;离子被物质散射的几率 ——离子的散射几率Q/Q0 ; 在空间角d?内出现散射粒子的几率为： Q/Q0 = ? Ns d? = ? (Nv?t) d? (M, E, ?) ——粒子的散射截面 (cm2) Q0 ——入射粒子数, Q ——散射粒子数 Ns ——参与散射靶粒子的面密度(原子/cm2) t ——样品厚度 Nv ——靶粒子的体密度。 若已知 ?(M1, M2, E, ?)、t，则测量Q/ Q0 ，即可求出Nv。 ? 是 M1, M2, E, ? 的函数。;样品中原子的体密度与厚度之中，只能求出一个！ 例如：当 RBS 测得 Ti 薄膜的原子面密度为 5.66*1027 atoms/cm2，假设其体密度为 5.66*1022 atoms/cm2 (理论体密度), 则其厚度为 100nm，其准确度取决于密度的假设。 反之??当厚度可以测量，则体密度可被准确计算。;散射截面?;元素的散射截面;重元素的散射截面大，信号强。;不同元素对4He+离子的散射截面(纵轴)和运动学因子(横轴) ——结合二者， 可用于确定成分（重粒子的散射截面大，易于被探测，但轻粒子的运动学因子变化大，易于被分辨）;PtCu合金/C薄膜的RBS谱;应用：AuAgCu合金薄膜/Si的RBS谱;C 薄膜上各种微量杂质的RBS检测极限;Au/Al/Au薄膜RBS谱;Si表面不同厚度Pt薄膜的RBS谱; 大量离子并未在表面被散射，而是进入样品一定深度后才发生散射。;RBS过程中，离子能量的耗散;RBS过程中离子能量的耗散?E;RBS过程中离子能量的确定;RBS离子能量耗散后散射几率的提高;一元、二元材料RBS谱的简单形式;两个金属硅化物薄膜/Si样品的RBS分析 ;Ni/Si界面间的反应;应用：Si中注入As(重元素）后的RBS谱;Al/YEuGaFeO/GdGaO薄膜的RBS谱;Si衬底上，(a) O2 和 (b) O2+Ar 离子轰击条件下制备的Fe2O3薄膜的RBS谱;RBS spectrum of a 37nm-ITO/PET film;4. RBS的结构敏感性 —— 通道效应（channeling);RBS通道效应(channelling)的示意图;通道效应的情况下背散射离子散射几率会出现角度依赖性;W(100)晶体的通道效应;EuBaCuO超导薄膜100晶向的通道效应 (a) 152Eu、138Ba (b) 63Cu (c) 16O;H+离子注入造成的Si(100)晶格损伤;Si（100）晶格损伤层的深度分布;Ni 离子注入导致SiC非晶化的研究 SiC(0001) 注入 1.0 M