霍尔效应大学物理实验.ppt

螺线管内轴线上磁感应强度分布曲线 实验数据例——螺线管内轴线磁场分布的测定 实验完毕后，拆除接线前应先将螺线管工作电流调至零，再关闭电源，以防止电感电流突变引起高电压. 实验完毕后，请逆时针旋转仪器上的三个调节旋钮，使其恢复到起始位置(最小的位置). 注意事项 仪器应预热10分钟后测量数据. 霍尔效应及磁场的测量 太原理工大学理学院物理与光电工程系 物理实验中心 Edwin Hall（1855～1938） 霍尔效应是霍尔 (Hall)24岁时在美国霍普金斯大学研究生期间，研究关于载流导体在磁场中的受力性质时发现的一种现象。 在长方形导体薄板上通以电流，沿电流的垂直方向施加磁场，就会在与电流和磁场两者垂直的方向上产生电势差，这种现象称为霍尔效应，所产生的电势差称为霍尔电压。 背景介绍 霍尔效应 量子霍尔效应 长时期以来，霍尔效应是在室温和中等强度磁场条件下进行实验的。1980年,德国物理学家克利青(Klaus von Klitzing)发现在低温条件下半导体硅的霍尔效应不是常规的那种直线，而是随着磁场强度呈跳跃性的变化，这种跳跃的阶梯大小由被整数除的基本物理常数所决定。 这在后来被称为整数量子霍尔效应。由于这个发现，克利青在1985年获得了诺贝尔物理奖。 背景介绍 分数量子霍尔效应 高纯度半导体材料 超低温环境：仅比绝对零度高十分之一摄氏度（约－273℃） 超强磁场：当于地球磁场强度100万倍 背景介绍 崔琦 Robert Laughlin Horst Stormer 构造出了分数量子霍尔系统的解析波函数 1998年的诺贝尔物理学奖 分数量子霍尔效应 实验原理 现象 —— 霍尔效应 在长方形导体薄板上通以电流，沿电流的垂直方向施加磁场，就会在与电流和磁场两者垂直的方向上产生电势差，这种现象称为霍尔效应，所产生的电势差称为霍尔电压。 理论分析 磁场中运动载流子受洛伦兹力作用 电荷聚集形成电场 电场力与洛伦兹力达到平衡，形成稳定电压UH mA - B mV 又考虑到(n为载流子浓度) 实验原理 即： KH=1/(nqd)称为霍尔元件的灵敏度. IS为流过霍尔元件的电流，即其工作电流. —— 如果已知霍尔片的灵敏度KH，用仪器测出VH和IS即可求得磁感应强度的量值. 埃廷斯豪森效应 ＵE∝Ｉx·Ｂz P型半导体 + _ 温度低 温度高 Jx ⊙ Ｂz N型半导体 Ey Jx _ + 温度低 温度高 ⊙ Ｂz Ey 霍尔效应中的负效应 ＵE方向与I和Ｂ方向有关。 由于材料中载流子的速度不同，在磁场的作用下，载流子的偏转半径不同，从而在y轴方向产生温度梯度，由此温度梯度形成的温差电动势为埃廷斯豪森电压。 能斯特效应 沿x方向通以电流，两端电极与样品的接触电阻不同而产生不同的焦耳热，致使x方向产生温度梯度，这一温度梯度引起一附加的纵向热扩散电流，在磁场的作用下，从而在y轴方向产生附加电位差，为能斯特电压。 ＵN∝Ｑx·Ｂz ＵN方向只与Ｂ方向有关。 霍尔效应中的负效应 里吉-勒迪克效应 纵向热扩散电流，在磁场的作用下，从而在y轴方向产生温差，这一温差又引起附加电位差，为里吉-勒迪克电压。 ＵRL∝Ｑx·Ｂz ＵRL的方向只与Ｂ的方向有关。 霍尔效应中的负效应 不等位效应 Ｕ0＝Ｉx·R0 制备霍尔样品时, y方向的测量电极很难做到处于理想的等位面上，即使在未加磁场时，在Ａ、Ｂ两电极间也存在一个由于不等位电势引起的欧姆压降Ｕ0 U0的方向只与Ix的方向有关。 霍尔效应中的负效应 霍尔效应中负效应的消除 埃廷斯豪森效应 ＵE 方向与I和Ｂ方向有关。 能斯特效应 ＵN方向只与Ｂ方向有关。 里吉-勒迪克效应 ＵRL的方向只与Ｂ的方向有关 不等位效应 U0的方向只与I的方向有关。 负效应的消除：改变I和B的方向，即对称测量法。 +B,+I, 测得电压U1=UH+UE+UN+URL+U0 +B,-I, 测得电压U2=-UH-UE+UN+URL-U0 -B,-I, 测得电压U3=UH+UE-UN-URL-U0 -B,+I, 测得电压U4=-UH-UE-UN-URL+U0 UH=（U1-U2+U3-U4)/4-UE 忽略UE 则UH=（|U1|+|U2|+|U3|+|U4|)/4 霍尔传感器的应用 1. 霍尔式微位移传感器 动态范围可达 5 mm 分辨率为 0.001mm 2. 霍尔式转速传感器 右图是霍尔式转速传感器。 磁性转盘的输入轴与被测转轴相连, 当被测转轴转动时, 磁性转盘随之转动, 固定在磁性转盘附近的霍尔传感器便可在每一个小磁铁通过时产