锥光干涉图光强透过率曲线对电光调制试验的影响-Core.PDFVIP

　　辽宁大学学报 JOURNAL OF L IA ON IN G UN IVER S ITY 　　　自然科学版 　　　　　N a tu ra l S ciences Ed ition 第 34 卷 　第 4 期 　2007 年 　　　　　　Vol. 34　No. 4　2007 锥光干涉图、光强透过率曲线对电光调制实验的影响 1 2 1 曹 　硕 ,马莹莹 , 高 　鹏 ( 1. 辽宁大学 物理学院 , 沈阳 110036; 2. 厦门大学 信息科学与技术学院 , 厦门 361005) ( ) 摘 　要 :基于电光效应的基本原理 ,讨论了铌酸锂 L iN bO3 晶体横向电光调制实验中利用锥光干涉图暗 十字线图样确定起偏器和检偏器偏振方向分别平行于晶体 x、y 光轴的方法 ,及光强透过率曲线偏移对测 量铌酸锂晶体半波电压的影响. 关键词 : 电光效应 ;铌酸锂晶体 ;锥光干涉图;半波电压. 中图分类号 : O734. 1　　文献标识码 : A 　　文章编号 :(2007) δ 　　激光是一种光频电磁波 ,具有良好的时间、空 分量之间就产生位相差 . 间相干性 , 以及小的发散角和高的亮度 ,与无线电 波相似 ,且光波频率远高于微波频率 ,可用来作为 传递信息的载波. 要用激光作为信息的载体 ,就必 须解决如何将信息加到激光上去的问题 ,这一过 程称为调制. 基于晶体电光效应的性质实现对激 光幅度调制的铌酸锂晶体电光调制实验 ,是大学 近代物理实验中演示电光调制激光通讯的一个有 图 1　电光强度调制的典型装置示意图 效的综合性实验 [ 1, 2 ] . 铌酸锂晶体锥光干涉图的 观察及光强透过率曲线的测量是电光调制实验中 U 为加在晶体 x 方向上的电压, 当电压 U 加 两个很重要的实验现象 ,实际上由于实验装置普 到某一值时, x ′、y 方′向的偏振光经过晶体后产生 λ δ π 遍存在的不足之处 ,它们对电光调制实验有着更 / 2 的光程差, 即位相差 = 时, 其光强透过率 为深刻的影响. T = 100 % , 这一 电压叫半波 电压, 通常用 Uπ 表 示. 1　电光调制实验原理 [ 2 ] ( ) 根据电光效应原理, 输出光强 T 由公式 1 基于铌酸锂晶体横向电光调制实验原理的激 决定 : π π 光振幅调制器 ,如图 1所示. 其中起偏器的偏振方 2 2 ( ω) T = sin U = sin U + U sin t