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2008—2009学年第4学期传感器原理课程期末考试试卷（B卷）答案及评分标准 授 课 专业班级： 2008—2009学年第4学期传感器原理课程期末考试试卷（B卷）答案及评分标准 授 课 专业班级： 2008—2009学年第4学期传感器原理课程期末考试试卷（B卷）答案及评分标准 授 课 专业班级：  3 l1：铁芯磁路总长； l2：衔铁的磁路长； S：气隙磁通截面积； S1：铁芯横截面积； S2：衔铁横截面积； μ1：铁芯磁导率； μ2：衔铁磁导率； μ0：真空磁导率， μ0=4π×10-7H／m； δ：空气隙厚度。 得分： 本试卷共四道大题，满分100分。 一、选择题 （本大题20分，每空2分） 1、传感器一般由（ B ）组成。 A、敏感元件和信号调理 B、敏感元件和转换元件 C、转换元件和信号调理 D 、电源电路和信号调理 2、电阻应变传感器桥式测量电路半桥时测量灵敏度为（ C ） A、 B、 C、 D 、 3、极板间可采用高介电常数的材料（云母、 塑料膜等）作介质, 此时电容C变为( B ) A、 B、 C、 D、以上都不对 4、自感式传感器分为（ A ）两种。 A、变隙式和变面积式 B、变介质和变面积式 C、变隙式和变介质式 D、变面积式和变极距式 5、热电偶回路总电势表示正确的是（ D ）。 A、 B、 C、 D、 6、对压电晶片沿X轴施加力，而在垂直于X轴晶面上产生电荷的现象为 ，计算公式为 。填入前两个空的是（ B ）。 A、横向压电效应 B、 纵向压电效应， C、横向压电效应 D、纵向压电效应， 7、光敏二极管在电路中一般是处于（ C ）工作状态 A、正向 B、截至 C、反向 D、导通 8、材料电阻率ρ，电子迁移率为μ，控制电流为I和磁场强度为B，霍尔片厚度为d，则霍尔电势与这几个参数间关系为( D )。 A、 B、 C、 D、 9、超声波在界面上几乎全反射，透射极少的条件是（ B ） A、ρ2c2≈ρ1c1 B、ρ2c2与ρ1c1相差较多 C、透射系数T≈1 D、R≈1且T≈1 10、不属于气敏传感器类型的是（ D ） A、接触燃烧式 B、金属氧化物半导体 C、氧化锆 D、氯化锂 二、名词解释（本大题14分，每题2分） 1、传感器静态特性 当输入量为常量，或变化极慢时，输出与输入之间的关系称为静态特性。 2、温差电势 由同一金属导体两端处于不同的温度场中，由于自由电子密度产生的电势。 3、逆压电效应 当在电介质的极化方向施加电场，这些电介质就在一定方向上产生机械变形或机械压力，当外加电场撤去时，这些变形或应力也随之消失的现象。 4、内光电效应定义及器件 当光照射在物体上，使物体的电阻率ρ发生变化，或产生光生电动势的现象叫做内光电效应。 器件：光敏电阻、光电池和光敏二极管、三极管 5、霍尔效应 在半导体薄片中通以电流I,在与薄片垂直方向加磁场B，则在半导体薄片的另外两端，产生一个大小与控制电流I和B乘积成正比的电动势，这种现象称为霍尔效应。 6、热释电效应 电石、水晶、酒石酸钾钠、钛酸钡等晶体受热产生温度变化时，其原子排列将发生变化，晶体自然极化，在其两表面产生电荷的现象称为热释电效应。 7、γ射线与物质的相互作用的光电效应 当一个光子和原子相碰撞时，将其能量全部交给某一轨道电子，使它脱离原子， 光子则被吸收，这种现象称为光电效应。 三、简答题（本大题25分，每题5分） 1、分析变介质型电容传感器并联平面板结构 2、证明：将第三种材料C接入由A、B组成的热电偶回路，A、C接点与C、B的接点均处于相同温度T0之中，此回路的总电势不变.（即中间导体定律） 得分： 4、分析光电倍增管工作原理。（本小题8分） 由光阴极、次阴极(倍增电极)以及阳极三部分组成。光阴极是由半导体光电材料锑铯做成；次阴极是在镍或铜-铍的衬底上涂上锑铯材料而形成的，次阴极多的可达30级；阳极是最后用来收集电子的，收集到的电子数是阴极发射电子数的105~106倍。即光电倍增管的放大倍数可达几万倍到几百万倍。光电倍增管的灵敏度就比普通光电管高几万倍到几百万倍。因此在很微弱的光照时，它就能产生很大的光电流。 5、利用输出回路并联电阻进行补偿。（本小题11分） 2、分析变隙式自感传