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电流关系： 电流放大系数 共射直流电流放大系数： 共射交流电流放大系数： IE=IB+IC=IB+βIB=(1+β)IB ? 是电流放大系数。同样，它也只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关,与外加电压无关。一般 ? 1 。 共基极直流电流放大系数 共基极交流电流放大系数 例5、如果ΔUBE=15mV,ΔIB=20μA,β=50，Rc=1kΩ，求ΔIC和Au。 5.3.2 BJT的特性曲线 BJT各电极电压与电流之间的关系曲线，称为伏安特性曲线。 BJT的共发射极特性曲线测试电路 1.共发射极输入特性 + - b c e 共射极放大电路 VBB VCC vBE iC iB + - vCE ①死区 ②非线性区 ③线性区 2.共发射极输出特性 iC=f(uCE)?iB=C 5.1 半导体的基本知识 5.2 半导体二极管 5.3 半导体三极管 5.4 场效应晶体管 第5章 半导体器件 5.1 半导体的基本知识 一、 半导体的导电特性 1.本征半导体 半导体材料晶体的空间排列 Ge和Si原子的简化模型 典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等 纯净的晶体结构的半导体称为本征半导体。 共价键 本征激发 束缚电子挣脱后，在共价键上留下的一个空位子，称为空穴。 电子空穴对——由热激发而产生的自由电子和空穴对。 电子－空穴复合运动 半导体的导电特性 电流＝自由电子定向运动＋空穴定向运动 T=300 K室温下,本征硅的电子和空穴浓度: n = p =1.4×1010/cm3 本征硅的原子浓度: 4.96×1022/cm3 2. 杂质半导体 目的：改善导电特性 在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。 N型半导体—掺入五价杂质元素（如磷）的半导体。 P型半导体—掺入三价杂质元素（如硼）的半导体。 1. N型半导体 因五价杂质原子中只有四个价电子能与周围四个半导体原子中的价电子形成共价键，而多余的一个价电子因无共价键束缚而很容易形成自由电子。 在N型半导体中自由电子是多数载流子，它主要由杂质原子提供；空穴是少数载流子, 由热激发形成。 提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为正离子，因此五价杂质原子也称为施主杂质。 2. P型半导体 因三价杂质原子在与硅原子形成共价键时，缺少一个价电子而在共价键中留下一个空穴。 在P型半导体中空穴是多数载流子，它主要由掺杂形成；自由电子是少数载流子， 由热激发形成。 空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为负离子。三价杂质 因而也称为受主杂质。 二、PN结及其单向导电特性 在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程: 空间电荷区形成内电场 ? 内电场促使少子漂移 ? 内电场阻止多子扩散 多子的扩散运动? 由杂质离子形成空间电荷区 ? 多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡 对于P型半导体和N型半导体结合面，离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。 在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽层。 1、PN结的形成 2. PN结的单向导电特性 当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏；反之称为加反向电压，简称反偏。 1) 外加正向电压Uf促使PN结转化为导通状态 PN结变窄，低电阻 大的正向扩散电流 (1)当0≤Uf＜UT时 UT为死区电压，或称门坎电压。 (2)当Uf≥UT 2) 外加反向电压UR促使PN结转化为截止状态 空间电荷量增加，PN结变宽 电路近似于开路状态 在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为反向饱和电流。 反向特性曲线 当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，此现象称为PN结的反向击穿。 热击穿——不可逆 雪崩击穿 齐纳击穿 电击穿——可逆 3.PN结的结电容Cj Cj=Ct+Cd Ct：耗尽层电容， Cd：扩散电容 PN结的高频等效电路 5.2 半导体二极管