脉冲注入中靶温对金属问化合物生成的影响.pdfVIP

第17卷 第 1期 核 技 术 Vo1．17．No 1 1994年 1H NUCLEARTECHNIQUES Jan ．1994 脉冲注入中靶温对金属问化合物生成的影响★ ，7一f2 坚 生兰 畅建华 张茎里 丁 lff．~专弓 l ‘ f北京师范大学低能棱物理研究昕 北京 10os75) I A摘要研究了在钢和Al中脉冲注人Ti和Mo的条件下金属间化合物形成的规律及生长机理，给 出 r金属间化合物生长与靶温的关系．得出的实验结果与计算相符合 与电镜 中退火碌位观察 结果 比较发现，注人过程中金属间化合物生长温度(40o℃)比退^中金属问化合物生长温度(6oo ℃)低 得 多 ，说 明注人过程中空位流和间隙原子流能促进金属问化合物的生长 通过脉冲注人 已得 到十余种金属化合物和金属间化合物 ．这些化合物的出现提高了注人层的硬度．改善了抗 磨损特性。 关 键 词 脉 金属间化台物 生长模型，温升．硬化 我们利用 强脉冲金属蒸发弧放 电离子源进行了Mo和Ti等重金属离子的注入研究。同过 去常用的离子源相 比，这种源具有可引出数十种金属离子、束流强度大、注入效率高、引出 柬纯度高和多电荷离子份额大等优点 ·。 我们对注入过程中所产生的空位流和间隙原子流对金属问化台物生长的作用进行 了研 究 利用空位流和间隙原子流产生率的微分方程推导出空位流和间隙原子流达到平衡态时的 解 从理论上讨论了离子注入过程中金属间化合物生长与注入条件的关系 。用电镜对于 脉 冲Mo注入H1a钢样品作了退火原位观察．初步了解了金属间化合物的生长规律 在本文 中我们研究 了注入过程中样品温升对金属间化台物生长的影响 比较了靶子温升与退火过程 中退火温度对金属间化台物生长影响的差异，并对金属间化台物生长机理进行了讨谁 1 实 验 方 法 注入样 品是厚度为0．4cm的H1a钢和0．5m 的高纯铝 。注入前H13钢需在真空炉中恒温加 热2h．加热温度 为 1050℃ ．然后从炉 中取 出迅速放入油中淬火 。淬火后样品再放入真空炉 中经550C回火2h处理。注入前样品表面要用金刚砂纸抛光到镜面光 并在有机溶剂中超声 清洗 。注入是用金唇蒸发弧放电离子源(MEVVA)完成的 引出电压为25—50kV 脉冲重 复频率为12—50次 ／8 脉冲宽度为300--900ps。脉冲电流峰值 为0．1—0．5A。平均束流为 2—6mA 注入剂量为1×10“一5×10“am 。注入时靶室真空度高到imPa。 注入样品的硬度用NEophot21型金相显微镜的维 氏硬度计测量 。测量时的负载为2．5g 和5g。用针盘磨损仪测量样品注入表面的抗磨损特性。 注入 层的合金相用 日产的x射线衍射仪进行分析 ．其最大输出功率为18kW 扫描选度 为4。／rain 本工作是北京市 自然科学基金和中国科学院上海冶金研究断离子束开放 实验室项 目．还得到863高科技项 目资助 收祷 日期 =1992—08—19．侉 回 日期 1993—02—01 8 棱 技 术 第17卷 注入层表面形貌用扫描电镜进行观察。用背散射技术分析注入元素的浓度分布。背散射 分析用2×1MeV的串列静 电加速器完成。氨分析束的能量为2MeV。散射角为168~。注人 时样品的表面温升用热电偶测量 。 2