半导体物理期末复习试题3套(大学期末复习资料).docx

电子科技大学二零零六至二零零七学年第一学期期末考试半导体物理课程考试题卷（ 120分钟）考试形式：闭卷考试日期 200 7年 1 月 14日注：1、本试卷满分70分，平时成绩满分15分，实验成绩满分15分；2.、本课程总成绩=试卷分数+平时成绩+实验成绩。课程成绩构成：平时分，期中分，实验分，期末分一二三四五六七八九十合计一、选择填空（含多选题）（2×20=40分）1、锗的晶格结构和能带结构分别是（C）。A. 金刚石型和直接禁带型 B. 闪锌矿型和直接禁带型C. 金刚石型和间接禁带型 D. 闪锌矿型和间接禁带型2、简并半导体是指（A ）的半导体。A、(EC-EF)或(EF-EV)≤0 B、(EC-EF)或(EF-EV)≥0C、能使用玻耳兹曼近似计算载流子浓度D、导带底和价带顶能容纳多个状态相同的电子3、在某半导体掺入硼的浓度为1014cm-3, 磷为1015 cm-3，则该半导体为（　B　）半导体；其有效杂质浓度约为（E）。A. 本征， B. n型， C. p型， D. 1.1×1015cm-3, E. 9×1014cm-34、当半导体材料处于热平衡时，其电子浓度与空穴浓度的乘积为（ B ），并且该乘积和（E、F ）有关，而与（ C、D ）无关。A、变化量； B、常数； C、杂质浓度； D、杂质类型； E、禁带宽度； F、温度5、在一定温度下，对一非简并n型半导体材料，减少掺杂浓度，会使得（ C ）靠近中间能级Ei；如果增加掺杂浓度，有可能使得（ C ）进入（ A ），实现重掺杂成为简并半导体。A、Ec； B、Ev； C、EF； D、Eg； E、Ei。67、如果温度升高，半导体中的电离杂质散射概率和晶格振动散射概率的变化分别是（C）。A、变大，变大B、变小，变小C、变小，变大D、变大，变小8、最有效的复合中心能级的位置在（D ）附近，最有利于陷阱作用的能级位置位于（C ）附近，并且常见的是（ E ）陷阱。A、EA； B、EB；C、EF；D、Ei； E、少子；F、多子。9、一块半导体寿命τ=15μs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30μs后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（ C ）。A、1/4 B、1/eC、1/e2D、1/210、半导体中载流子的扩散系数决定于该材料中的（A）。A、散射机构； B 、复合机构；C、杂质浓度梯度； C、表面复合速度。11、下图是金属和n型半导体接触能带图，图中半导体靠近金属的表面形成了（D ）。A、n型阻挡层B、p型阻挡层C、p型反阻挡层D、n型反阻挡层12、欧姆接触是指（D ）的金属－半导体接触。A、Wms=0 B、Wms＜0C、Wms＞0 D、阻值较小并且有对称而线性的伏－安特性13、MOS器件中SiO2层中的固定表面电荷主要是（B），它能引起半导体表面层中的能带（ C ）弯曲,要恢复平带，必须在金属与半导体间加（ F ）。A．钠离子； B硅离子.；C.向下；D.向上；E. 正电压；F. 负电压二、证明题：（8分）由金属－SiO2－P型硅组成的MOS结构，当外加的电压使得半导体表面载流子浓度ns与内部多数载流子浓度Pp0相等时作为临界强反型层条件，试证明：此时半导体的表面势为：证明：设半导体的表面势为VS，则表面的电子浓度为：（2分）当ns=pp0时，有：（1分）（1分）另外：（2分）比较上面两个式子，可知VS=2VB饱和电离时，Pp0=NA,即：（1分）故：（1分）三、简答题（32分）解释什么是Schottky接触和欧姆接触，并画出它们相应的I-V曲线？（8分）答：金属与中、低掺杂的半导体材料接触，在半导体表面形成多子的势垒即阻挡层，其厚度并随加在金属上的电压改变而变化，这样的金属和半导体的接触称为Schottky接触。（2分）金属和中、低掺杂的半导体材料接触，在半导体表面形成多子的势阱即反阻挡层，或金属和重掺杂的半导体接触，半导体表面形成极薄的多子势垒，载流子可以隧穿过该势阱，形成隧穿电流，其电流－电压特性满足欧姆定律。（2分）Schottky 势垒接触的I-V特性 欧姆接触的I-V特性 （2分） （2分）试画出n型半导体构成的理想的MIS结构半导体表面为积累、耗尽、反型时能带图和对应的的电荷分布图？(3×3分＝9分)解：对n型半导体的理想MIS结构的在不同的栅极电压下，当电压从正向偏置到负电压是，在半导体表面会出现积累、耗尽、反型现象，其对应的能带和电荷分布图如下：试画出中等掺杂的Si的电阻率随温度变化的曲线，并分析解释各段对应的原因和特