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电 子 科 技 大 学 二 零 九 二 零 一 零 学 年 第 一 学
期 期 末 考 试
半导体物理 课程考试题 B 卷 ( 120 分钟) 考试形式: 闭卷 考试日期 20 10年 元
月 18 日
10 5 15 70
课程成绩构成:平时 分, 期中 分, 实验 分, 期末 分
一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 合计 复核人
签名
得分
签名
得 分
1 、 填 空 题 : ( 共 16 分 , 每 空 1 分 )
1. 简 并 半 导 体 一 般 是 重 掺 杂 半 导 体 , 这 时 电
离 杂质 对 载 流 子 的 散 射 作 用 不 可 忽 略 。
2. 处 在 饱 和 电 离 区 的 N 型 Si 半 导 体 在 温 度 升 高 后 ,
/ /
电 子 迁 移 率 会 下降 减 小 , 电 阻 率 会 上升 增 大 。
3. P/
电 子 陷 阱 存 在 于 空穴 型 半 导 体 中 。
4. 随 温 度 的 增 加 , P 型 半 导 体 的 霍 尔 系 数 的 符 号
第 1 页 共 17 页
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由正变为负 。
5. 在 半 导 体 中 同 时 掺 入 施 主 杂 质 和 受 主 杂 质 , 它
们 具 有
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